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2N7002K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N7002K
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 60V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 60V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:108428
  • 起订量:50
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 50+ ¥0.1054
  • 500+ ¥0.0874
  • 3000+ ¥0.0603
  • 6000+ ¥0.0543
  • 24000+ ¥0.0519
  • 51000+ ¥0.0503
合计:¥5.27
标准包装数量:3000

BSS84 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS84
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -50V -0.13A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-50V,ID(DS最大平均电流):-130mA,RDS(on)(DS导通内阻):8Ω@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -50V -0.13A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-50V,ID(DS最大平均电流):-130mA,RDS(on)(DS导通内阻):8Ω@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:2
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 2+ ¥0.1068
  • 100+ ¥0.0779
  • 300+ ¥0.068
  • 3000+ ¥0.053
合计:¥0.21
标准包装数量:3000

BSS123 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 300mW 20V 100V 3.5Ω@ 10V 200mA SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
    300mW 20V 100V 3.5Ω@ 10V 200mA SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
  • 库   存:7526
  • 起订量:50
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 50+ ¥0.1139
  • 500+ ¥0.0933
  • 3000+ ¥0.0694
  • 6000+ ¥0.0625
  • 24000+ ¥0.0566
  • 51000+ ¥0.0535
合计:¥5.70
标准包装数量:3000

SI2302S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302S
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.8W 12V 400mV 5.4nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 48mΩ@ 4.5V,2A 2.3A 160pF@10V SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
    1.8W 12V 400mV 5.4nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 48mΩ@ 4.5V,2A 2.3A 160pF@10V SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
  • 库   存:385
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.1156
  • 100+ ¥0.0843
  • 300+ ¥0.0736
  • 3000+ ¥0.0574
合计:¥1.16
标准包装数量:3000

BSS138 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 50V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):50V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 50V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):50V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:15174
  • 起订量:30
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 30+ ¥0.1227
  • 300+ ¥0.1013
  • 900+ ¥0.0893
  • 3000+ ¥0.065
  • 15000+ ¥0.0587
  • 30000+ ¥0.0553
合计:¥3.68
标准包装数量:3000

MDD3400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3400
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:1833
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 20+ ¥0.223
  • 200+ ¥0.1801
  • 600+ ¥0.1585
  • 3000+ ¥0.1424
  • 9000+ ¥0.1295
  • 21000+ ¥0.1231
合计:¥4.46
标准包装数量:3000

AO3402 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3402
  • 厂牌:MDD/江苏辰达行电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.5W 16V 1.2V 3.1nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 0.08Ω@VGS = 2.5 V,ID = 1 A(typ) 5A 240pF@15V SOT-23 贴片安装
    1.5W 16V 1.2V 3.1nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 0.08Ω@VGS = 2.5 V,ID = 1 A(typ) 5A 240pF@15V SOT-23 贴片安装
  • 库   存:21
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.3864
  • 100+ ¥0.3091
  • 300+ ¥0.2698
  • 3000+ ¥0.2361
  • 9000+ ¥0.2208
  • 21000+ ¥0.2097
合计:¥3.86
标准包装数量:3000

MDD50N03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD50N03D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 30V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):9mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:TO-252 参数:N沟道 30V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):9mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:11999
  • 起订量:20
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 20+ ¥0.5745
  • 200+ ¥0.4702
  • 600+ ¥0.4166
  • 2500+ ¥0.3585
  • 10000+ ¥0.3431
  • 20000+ ¥0.3327
合计:¥11.49
标准包装数量:2500

MDD2301 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2301
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -3A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-3.0A,RDS(on)(DS导通内阻):70mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -3A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-3.0A,RDS(on)(DS导通内阻):70mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 3000+ ¥0.0768
  • 6000+ ¥0.0755
  • 9000+ ¥0.0736
  • 12000+ ¥0.0723
合计:¥230.40
标准包装数量:3000

MDD3407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3407
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -300V -4.1A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.1A,RDS(on)(DS导通内阻):43mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -300V -4.1A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.1A,RDS(on)(DS导通内阻):43mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 45000+ ¥0.1272
  • 90000+ ¥0.1251
  • 135000+ ¥0.1219
  • 180000+ ¥0.1198
合计:¥5,724.00
标准包装数量:3000

MDD3401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3401
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 45000+ ¥0.1284
  • 90000+ ¥0.1263
  • 135000+ ¥0.1231
  • 180000+ ¥0.1209
合计:¥5,778.00
标准包装数量:3000

MDD2305 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2305
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):37mΩ@-4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):37mΩ@-4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 45000+ ¥0.1464
  • 90000+ ¥0.144
  • 135000+ ¥0.1403
  • 180000+ ¥0.1379
合计:¥6,588.00
标准包装数量:3000

MDD2300 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2300
  • 厂牌:MDD
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6.6nC@ 4.5V 19.4mΩ@ 4.5V,4A 6.2A SOT-23
    6.6nC@ 4.5V 19.4mΩ@ 4.5V,4A 6.2A SOT-23
  • 库   存:5805
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1+ ¥0.4255
  • 200+ ¥0.1415
  • 1500+ ¥0.0883
  • 3000+ ¥0.0702
  • 45000+ ¥0.0698
  • 60000+ ¥0.0691
合计:¥0.43
标准包装数量:3000

MDD4N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD4N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 5000+ ¥0.8532
  • 10000+ ¥0.839
  • 15000+ ¥0.8177
  • 20000+ ¥0.8034
合计:¥4,266.00
标准包装数量:1000

BSS84K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS84K
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7周
  • 45000+ ¥0.048
  • 90000+ ¥0.0472
  • 135000+ ¥0.046
  • 180000+ ¥0.0452
合计:¥2,160.00
标准包装数量:3000

MDD3415 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3415
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6周
  • 45000+ ¥0.126
  • 90000+ ¥0.1239
  • 135000+ ¥0.1208
  • 180000+ ¥0.1187
合计:¥5,670.00
标准包装数量:3000

MDD2N65D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2N65D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 650V 2A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):2.0A,RDS(on)(DS导通内阻):4.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-252 参数:N沟道 650V 2A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):2.0A,RDS(on)(DS导通内阻):4.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 10000+ ¥0.4356
  • 20000+ ¥0.4283
  • 30000+ ¥0.4175
  • 40000+ ¥0.4102
合计:¥4,356.00
标准包装数量:2500

MDD7N65D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD7N65D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-252 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 10000+ ¥0.882
  • 20000+ ¥0.8673
  • 30000+ ¥0.8453
  • 40000+ ¥0.8306
合计:¥8,820.00
标准包装数量:2500

MDD16N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD16N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 16A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):16.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.48Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 16A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):16.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.48Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 5000+ ¥2.3292
  • 10000+ ¥2.2904
  • 15000+ ¥2.2322
  • 15000+ ¥2.2322
合计:¥11,646.00
标准包装数量:1000
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