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2N7002K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N7002K
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 60V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 60V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:59118
  • 起订量:50
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 50+ ¥0.0871
  • 500+ ¥0.0716
  • 3000+ ¥0.0492
  • 6000+ ¥0.0444
  • 24000+ ¥0.0424
  • 51000+ ¥0.041
合计:¥4.36
标准包装数量:3000

BSS84 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS84
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -50V -0.13A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-50V,ID(DS最大平均电流):-130mA,RDS(on)(DS导通内阻):8Ω@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -50V -0.13A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-50V,ID(DS最大平均电流):-130mA,RDS(on)(DS导通内阻):8Ω@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:8
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.09
  • 100+ ¥0.08
  • 500+ ¥0.07
  • 3000+ ¥0.057
  • 9000+ ¥0.053
合计:¥0.09
标准包装数量:3000

BSS138 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 50V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):50V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 50V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):50V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:1328
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.1
  • 100+ ¥0.085
  • 300+ ¥0.07
  • 3000+ ¥0.052
合计:¥0.10
标准包装数量:3000

BSS123 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 300mW 20V 100V 3.5Ω@ 10V 200mA SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
    300mW 20V 100V 3.5Ω@ 10V 200mA SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
  • 库   存:12183
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 50+ ¥0.101
  • 500+ ¥0.081
  • 3000+ ¥0.0662
  • 6000+ ¥0.0598
  • 24000+ ¥0.0543
  • 51000+ ¥0.0513
合计:¥5.05
标准包装数量:3000

SI2302S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302S
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.8W 12V 400mV 5.4nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 48mΩ@ 4.5V,2A 2.3A 160pF@10V SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
    1.8W 12V 400mV 5.4nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 48mΩ@ 4.5V,2A 2.3A 160pF@10V SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.4mm(宽度)
  • 库   存:3587
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 50+ ¥0.1183
  • 500+ ¥0.0975
  • 3000+ ¥0.0739
  • 6000+ ¥0.067
  • 24000+ ¥0.0609
  • 51000+ ¥0.0576
合计:¥5.92
标准包装数量:3000

MDD3400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3400
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:735
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.1927
  • 100+ ¥0.1625
  • 200+ ¥0.1336
  • 3000+ ¥0.1055
合计:¥1.93
标准包装数量:3000

AO3402 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3402
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.5W 16V 1.2V 3.1nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 0.08Ω@VGS = 2.5 V,ID = 1 A(typ) 5A 240pF@15V SOT-23 贴片安装
    1.5W 16V 1.2V 3.1nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 0.08Ω@VGS = 2.5 V,ID = 1 A(typ) 5A 240pF@15V SOT-23 贴片安装
  • 库   存:8332
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.3408
  • 100+ ¥0.27
  • 300+ ¥0.238
  • 3000+ ¥0.195
  • 9000+ ¥0.1765
  • 21000+ ¥0.1672
合计:¥3.41
标准包装数量:3000

MDD50N03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD50N03D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 30V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):9mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:TO-252 参数:N沟道 30V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):9mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:12139
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 20+ ¥0.533
  • 200+ ¥0.4316
  • 600+ ¥0.3814
  • 2500+ ¥0.327
  • 10000+ ¥0.3127
  • 20000+ ¥0.3029
合计:¥10.66
标准包装数量:2500

MDD2301 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2301
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -3A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-3.0A,RDS(on)(DS导通内阻):70mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -3A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-3.0A,RDS(on)(DS导通内阻):70mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 3000+ ¥0.0448
合计:¥134.40
标准包装数量:3000

MDD3404 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3404
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):23mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):23mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:45000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 45000+ ¥0.1138
  • 90000+ ¥0.1119
  • 135000+ ¥0.109
合计:¥5,121.00
标准包装数量:3000

MDD3401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3401
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:45000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 45000+ ¥0.1238
  • 90000+ ¥0.1217
  • 135000+ ¥0.1186
合计:¥5,571.00
标准包装数量:3000

MDD2305 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2305
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):37mΩ@-4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -20V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-20V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):37mΩ@-4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:45000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 45000+ ¥0.1338
  • 90000+ ¥0.1315
  • 135000+ ¥0.1282
合计:¥6,021.00
标准包装数量:3000

MDD3407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3407
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:P沟道 -300V -4.1A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.1A,RDS(on)(DS导通内阻):43mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:P沟道 -300V -4.1A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.1A,RDS(on)(DS导通内阻):43mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:45000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 45000+ ¥0.1338
  • 90000+ ¥0.1315
  • 135000+ ¥0.1282
合计:¥6,021.00
标准包装数量:3000

MDD4N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD4N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.6625
  • 10000+ ¥0.6515
  • 15000+ ¥0.6349
合计:¥3,312.50
标准包装数量:1000

MDD15N10D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD15N10D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 100V 15A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):100V,ID(DS最大平均电流):15A,RDS(on)(DS导通内阻):110mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:TO-252 参数:N沟道 100V 15A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):100V,ID(DS最大平均电流):15A,RDS(on)(DS导通内阻):110mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 10000+ ¥0.3313
  • 20000+ ¥0.3257
  • 30000+ ¥0.3175
合计:¥3,313.00
标准包装数量:2500

MDD2N65D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2N65D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 650V 2A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):2.0A,RDS(on)(DS导通内阻):4.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-252 参数:N沟道 650V 2A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):2.0A,RDS(on)(DS导通内阻):4.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 10000+ ¥0.3825
  • 20000+ ¥0.3761
  • 30000+ ¥0.3666
合计:¥3,825.00
标准包装数量:2500

MDD80N03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD80N03D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 30V 80A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):80A,RDS(on)(DS导通内阻):6mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:TO-252 参数:N沟道 30V 80A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):80A,RDS(on)(DS导通内阻):6mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 10000+ ¥0.4588
  • 20000+ ¥0.4511
  • 30000+ ¥0.4396
合计:¥4,588.00
标准包装数量:2500

MDD7N65D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD7N65D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-252 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 10000+ ¥0.7775
  • 20000+ ¥0.7645
  • 30000+ ¥0.7451
合计:¥7,775.00
标准包装数量:2500

MDD12N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD12N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 12A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):12.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.64Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 12A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):12.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.64Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 5000+ ¥1.5938
  • 10000+ ¥1.5672
  • 15000+ ¥1.5273
合计:¥7,969.00
标准包装数量:1000

MDD16N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD16N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 16A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):16.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.48Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 16A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):16.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.48Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 5000+ ¥2.04
  • 10000+ ¥2.006
  • 10000+ ¥2.006
合计:¥10,200.00
标准包装数量:1000
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