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INN700TK190B 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700TK190B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥2.904
  • 5000+ ¥2.8556
  • 7500+ ¥2.783
合计:¥7,260.00
标准包装数量:2500

IGLR60R260D1 氮化镓场效应管

  • 型号: IGLR60R260D1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥10.392
  • 5000+ ¥10.2188
  • 7500+ ¥9.959
合计:¥25,980.00
标准包装数量:2500

HCG65200DBA 氮化镓场效应管

  • 型号: HCG65200DBA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-12工作日
  • 2500+ ¥13.944
  • 5000+ ¥13.7116
  • 5000+ ¥13.7116
合计:¥34,860.00
标准包装数量:2500
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