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{{item.name}}

HINN700TK240B 氮化镓场效应管

  • 型号: HINN700TK240B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥2.904
  • 5000+ ¥2.8556
  • 7500+ ¥2.783
合计:¥7,260.00
标准包装数量:2500

INN700TK240B 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700TK240B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥2.904
  • 5000+ ¥2.8556
  • 7500+ ¥2.783
合计:¥7,260.00
标准包装数量:2500

HINN700TK190B 氮化镓场效应管

  • 型号: HINN700TK190B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥2.904
  • 5000+ ¥2.8556
  • 7500+ ¥2.783
合计:¥7,260.00
标准包装数量:2500

INN700TK240C 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700TK240C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥3.24
  • 5000+ ¥3.186
  • 7500+ ¥3.105
合计:¥8,100.00
标准包装数量:2500

INN700TK190C 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700TK190C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:700V,RDON:160mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥3.24
  • 5000+ ¥3.186
  • 7500+ ¥3.105
合计:¥8,100.00
标准包装数量:2500

HIGLR65R140D2 氮化镓场效应管

  • 型号: HIGLR65R140D2
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-12工作日
  • 2500+ ¥8.5709
  • 5000+ ¥8.428
  • 7500+ ¥8.2138
合计:¥21,427.25
标准包装数量:2500

IGLR65R140D2 氮化镓场效应管

  • 型号: IGLR65R140D2
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥9.216
  • 5000+ ¥9.0624
  • 7500+ ¥8.832
合计:¥23,040.00
标准包装数量:2500

HIGLR60R260D1 氮化镓场效应管

  • 型号: HIGLR60R260D1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-12工作日
  • 2500+ ¥9.6646
  • 5000+ ¥9.5035
  • 7500+ ¥9.2619
合计:¥24,161.50
标准包装数量:2500

HCG65140DAA 氮化镓场效应管

  • 型号: HCG65140DAA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥10.9824
  • 5000+ ¥10.7994
  • 7500+ ¥10.5248
合计:¥27,456.00
标准包装数量:2500

HCG65200DAA 氮化镓场效应管

  • 型号: HCG65200DAA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥11.076
  • 5000+ ¥10.8914
  • 7500+ ¥10.6145
合计:¥27,690.00
标准包装数量:2500

HCG65140DBA 氮化镓场效应管

  • 型号: HCG65140DBA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-12工作日
  • 2500+ ¥11.616
  • 5000+ ¥11.4224
  • 7500+ ¥11.132
合计:¥29,040.00
标准包装数量:2500

CG65140DAA 氮化镓场效应管

  • 型号: CG65140DAA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥12.48
  • 5000+ ¥12.272
  • 7500+ ¥11.96
合计:¥31,200.00
标准包装数量:2500

CG65140DBA 氮化镓场效应管

  • 型号: CG65140DBA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:17A,VDSS:650V,RDON:100mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥13.2
  • 5000+ ¥12.98
  • 7500+ ¥12.65
合计:¥33,000.00
标准包装数量:2500

HGS0650112LTR 氮化镓场效应管

  • 型号: HGS0650112LTR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥15.4176
  • 5000+ ¥15.1606
  • 7500+ ¥14.7752
合计:¥38,544.00
标准包装数量:2500

HIGLD60R190D1 氮化镓场效应管

  • 型号: HIGLD60R190D1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥18.72
  • 5000+ ¥18.408
  • 7500+ ¥17.94
合计:¥46,800.00
标准包装数量:2500

GS-065-011-1-L-TR 氮化镓场效应管

  • 型号: GS-065-011-1-L-TR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥20.16
  • 5000+ ¥19.824
  • 7500+ ¥19.32
合计:¥50,400.00
标准包装数量:2500

GS-065-011-2-L-TR 氮化镓场效应管

  • 型号: GS-065-011-2-L-TR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥22.56
  • 5000+ ¥22.184
  • 7500+ ¥21.62
合计:¥56,400.00
标准包装数量:2500

CG65200DBA 氮化镓场效应管

  • 型号: CG65200DBA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥30
  • 5000+ ¥29.5
  • 7500+ ¥28.75
合计:¥75,000.00
标准包装数量:2500

CG65200DAA 氮化镓场效应管

  • 型号: CG65200DAA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥30.6
  • 5000+ ¥30.09
  • 7500+ ¥29.325
合计:¥76,500.00
标准包装数量:2500

IGLD60R190D1 氮化镓场效应管

  • 型号: IGLD60R190D1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-8
  • 描述: ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
    ID:10A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-1.4~+7V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 2500+ ¥33.6
  • 5000+ ¥33.04
  • 5000+ ¥33.04
合计:¥84,000.00
标准包装数量:2500
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