处理中...

{{item.name}}

CMFG65R670 碳化硅场效应管

  • 型号: CMFG65R670
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:6A,Rds10v内阻:0.67Ω,功率:50W,Vgs(±)CISS(typ):140PF;
    SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:6A,Rds10v内阻:0.67Ω,功率:50W,Vgs(±)CISS(typ):140PF;
  • 库   存:256485
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.2613
  • 10000+ ¥1.2108
  • 15000+ ¥1.1906
合计:¥126.13
标准包装数量:5000

CMDG65R245 碳化硅场效应管

  • 型号: CMDG65R245
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:15A,Rds10v内阻:0.29Ω,功率:75W,Vgs(±)CISS(typ):240PF;
    SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:15A,Rds10v内阻:0.29Ω,功率:75W,Vgs(±)CISS(typ):240PF;
  • 库   存:5000
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.72
  • 2000+ ¥1.6512
  • 3000+ ¥1.6237
合计:¥172.00
标准包装数量:1000

CMFG65R180 碳化硅场效应管

  • 型号: CMFG65R180
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.18Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
    SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.18Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 50+ ¥2.595
  • 10000+ ¥2.4912
  • 15000+ ¥2.4497
合计:¥129.75
标准包装数量:5000

CMHG120R080-4 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG120R080-4
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: SiC MOS,封装:TO-247-4,N场沟道,耐压:1200v,电流:30A;
    SiC MOS,封装:TO-247-4,N场沟道,耐压:1200v,电流:30A;
  • 库   存:42380
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥8.1575
  • 480+ ¥7.8312
  • 720+ ¥7.7007
合计:¥163.15
标准包装数量:240

CMHG120R040-4 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG120R040-4
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: SiC MOS,封装:TO-247-4,N场沟道,耐压:1200v,电流:60A;
    SiC MOS,封装:TO-247-4,N场沟道,耐压:1200v,电流:60A;
  • 库   存:42380
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6875
  • 480+ ¥11.22
  • 720+ ¥11.033
合计:¥116.88
标准包装数量:240

CMHG120R022-4 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG120R022-4
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: SiC MOS,封装:TO-247-4,N场沟道,耐压:1200v,电流:100A;
    SiC MOS,封装:TO-247-4,N场沟道,耐压:1200v,电流:100A;
  • 库   存:42380
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥20.245
  • 2000+ ¥19.4352
  • 2000+ ¥19.4352
合计:¥202.45
标准包装数量:1000
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧