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CMHG65R090 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG65R090
  • 厂牌:CMOS/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-247/TO-3P,N场沟道,耐压:650v,电流:60A,Rds10v内阻:0.12Ω,功率:250W,Vgs(±)CISS(typ):1050PF;
    SiC MOS管,封装:TO-247/TO-3P,N场沟道,耐压:650v,电流:60A,Rds10v内阻:0.12Ω,功率:250W,Vgs(±)CISS(typ):1050PF;
  • 库   存:180
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥6.4212
  • 200+ ¥6.0644
  • 500+ ¥5.7453
合计:¥32.11
标准包装数量:240

CMDG65R670 碳化硅场效应管

  • 型号: CMDG65R670
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: SiC MOS,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:6A;
    SiC MOS,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:6A;
  • 库   存:42380
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.0088
  • 5000+ ¥0.9684
  • 7500+ ¥0.9523
合计:¥100.88
标准包装数量:2500

CMFG65R670 碳化硅场效应管

  • 型号: CMFG65R670
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:6A,Rds10v内阻:0.67Ω,功率:50W,Vgs(±)CISS(typ):140PF;
    SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:6A,Rds10v内阻:0.67Ω,功率:50W,Vgs(±)CISS(typ):140PF;
  • 库   存:256485
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.2613
  • 10000+ ¥1.2108
  • 15000+ ¥1.1906
合计:¥126.13
标准包装数量:5000

CMDG65R380 碳化硅场效应管

  • 型号: CMDG65R380
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:11A,Rds10v内阻:0.5Ω,功率:52W,Vgs(±)CISS(typ):280PF;
    SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:11A,Rds10v内阻:0.5Ω,功率:52W,Vgs(±)CISS(typ):280PF;
  • 库   存:30000
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.4838
  • 1600+ ¥1.4244
  • 2400+ ¥1.4007
合计:¥148.38
标准包装数量:800

CMDG65R325 碳化硅场效应管

  • 型号: CMDG65R325
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:12A,Rds10v内阻:0.44Ω,功率:65W,Vgs(±)CISS(typ):185PF;
    SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:12A,Rds10v内阻:0.44Ω,功率:65W,Vgs(±)CISS(typ):185PF;
  • 库   存:5000
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.4838
  • 5000+ ¥1.4244
  • 7500+ ¥1.4007
合计:¥148.38
标准包装数量:2500

CMSAG65R380 碳化硅场效应管

  • 型号: CMSAG65R380
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:--
  • 描述: SiC MOS管,封装:DFN-8 5x6,N场沟道,耐压:650v,电流:11A,Rds10v内阻:0.28Ω,功率:70W,Vgs(±)CISS(typ):280PF;
    SiC MOS管,封装:DFN-8 5x6,N场沟道,耐压:650v,电流:11A,Rds10v内阻:0.28Ω,功率:70W,Vgs(±)CISS(typ):280PF;
  • 库   存:11025
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.5575
  • 10000+ ¥1.4952
  • 15000+ ¥1.4703
合计:¥155.75
标准包装数量:5000

CMFG65R325 碳化硅场效应管

  • 型号: CMFG65R325
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.44Ω,功率:40W,Vgs(±)CISS(typ):185PF;
    SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.44Ω,功率:40W,Vgs(±)CISS(typ):185PF;
  • 库   存:5000
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥1.78
  • 5000+ ¥1.7088
  • 7500+ ¥1.6803
合计:¥178.00
标准包装数量:2500

CMFG65R245 碳化硅场效应管

  • 型号: CMFG65R245
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:15A,Rds10v内阻:0.29Ω,功率:45W,Vgs(±)CISS(typ):240PF;
    SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:15A,Rds10v内阻:0.29Ω,功率:45W,Vgs(±)CISS(typ):240PF;
  • 库   存:5000
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥2.0763
  • 480+ ¥1.9932
  • 720+ ¥1.96
合计:¥207.63
标准包装数量:240

CMDG65R180 碳化硅场效应管

  • 型号: CMDG65R180
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.18Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
    SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.18Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
  • 库   存:30000
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 100+ ¥2.15
  • 2000+ ¥2.064
  • 3000+ ¥2.0296
合计:¥215.00
标准包装数量:1000

CMFG65R180 碳化硅场效应管

  • 型号: CMFG65R180
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.18Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
    SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:A,Rds10v内阻:0.18Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 50+ ¥2.595
  • 10000+ ¥2.4912
  • 15000+ ¥2.4497
合计:¥129.75
标准包装数量:5000

CMDG65R090 碳化硅场效应管

  • 型号: CMDG65R090
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:60A,Rds10v内阻:0.068Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
    SiC MOS管,封装:TO-252,N场沟道,耐压:650v,电流:60A,Rds10v内阻:0.068Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 50+ ¥4.9838
  • 2000+ ¥4.7844
  • 3000+ ¥4.7047
合计:¥249.19
标准包装数量:1000

CMHG170R900N 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG170R900N
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-247,N场沟道,耐压:1700v,电流:6A,Rds10v内阻:0.54Ω,功率:80W,Vgs(±)CISS(typ):220PF;
    SiC MOS管,封装:TO-247,N场沟道,耐压:1700v,电流:6A,Rds10v内阻:0.54Ω,功率:80W,Vgs(±)CISS(typ):220PF;
  • 库   存:256485
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥5.1913
  • 480+ ¥4.9836
  • 720+ ¥4.9005
合计:¥103.83
标准包装数量:240

CMFG65R090 碳化硅场效应管

  • 型号: CMFG65R090
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:60A,Rds10v内阻:0.068Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
    SiC MOS管,封装:TO-220F,N场沟道,耐压:650v,电流:60A,Rds10v内阻:0.068Ω,功率:W,Vgs(±)CISS(typ):PF;
  • 库   存:30000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥5.4575
  • 5000+ ¥5.2392
  • 7500+ ¥5.1519
合计:¥109.15
标准包装数量:2500

CMSLG65R045 碳化硅场效应管

  • 型号: CMSLG65R045
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:--
  • 描述: SiC MOS管,封装:TOLL,N场沟道,耐压:650v,电流:50A,Rds10v内阻:0.045Ω,功率:220W,Vgs(±)CISS(typ):1200PF;
    SiC MOS管,封装:TOLL,N场沟道,耐压:650v,电流:50A,Rds10v内阻:0.045Ω,功率:220W,Vgs(±)CISS(typ):1200PF;
  • 库   存:256485
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥7.4163
  • 4000+ ¥7.1196
  • 6000+ ¥7.0009
合计:¥148.33
标准包装数量:2000

CMHG65R048 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG65R048
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: SiC MOS管,N场,TO-247,N场,耐压:650V,电流:44A,10V内阻(Max):0.063Ω,功率:150W,CISS(Typ):1050PF
    SiC MOS管,N场,TO-247,N场,耐压:650V,电流:44A,10V内阻(Max):0.063Ω,功率:150W,CISS(Typ):1050PF
  • 库   存:35640
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥10.9013
  • 480+ ¥10.4652
  • 720+ ¥10.2908
合计:¥218.03
标准包装数量:240

CMHG65R027 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG65R027
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: SiC MOS管,N场,TO-247,N场,耐压:650V,电流:75A,10V内阻(Max):0.038Ω,功率:275W,CISS(Typ):1850PF
    SiC MOS管,N场,TO-247,N场,耐压:650V,电流:75A,10V内阻(Max):0.038Ω,功率:275W,CISS(Typ):1850PF
  • 库   存:35640
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥13.3488
  • 480+ ¥12.8148
  • 720+ ¥12.6012
合计:¥133.49
标准包装数量:240

CMHG120R050 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG120R050
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: SiC MOS管,封装:TO-247/TO-3P,N场沟道,耐压:1200v,电流:60A,Rds10v内阻:0.055Ω,功率:280W,Vgs(±)CISS(typ):2250PF;
    SiC MOS管,封装:TO-247/TO-3P,N场沟道,耐压:1200v,电流:60A,Rds10v内阻:0.055Ω,功率:280W,Vgs(±)CISS(typ):2250PF;
  • 库   存:30000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥14.8013
  • 5000+ ¥14.2092
  • 7500+ ¥13.9724
合计:¥148.01
标准包装数量:2500

CMSLG65R015 碳化硅场效应管

  • 型号: CMSLG65R015
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:--
  • 描述: SiC MOS管,封装:TOLL,N场沟道,耐压:650v,电流:135A,Rds10v内阻:0.018Ω,功率:500W,Vgs(±)CISS(typ):3500PF;
    SiC MOS管,封装:TOLL,N场沟道,耐压:650v,电流:135A,Rds10v内阻:0.018Ω,功率:500W,Vgs(±)CISS(typ):3500PF;
  • 库   存:256485
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥19.2813
  • 1600+ ¥18.51
  • 2400+ ¥18.2015
合计:¥192.81
标准包装数量:800

CMHG65R020 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG65R020
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: SiC MOS管,N场,TO-247,N场,耐压:650V,电流:100A,10V内阻(Max):0.026Ω,功率:350W,CISS(Typ):3550PF
    SiC MOS管,N场,TO-247,N场,耐压:650V,电流:100A,10V内阻(Max):0.026Ω,功率:350W,CISS(Typ):3550PF
  • 库   存:35640
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥19.2813
  • 6000+ ¥18.51
  • 9000+ ¥18.2015
合计:¥192.81
标准包装数量:3000

CMHG65R020-4 碳化硅场效应管

  • 型号: CMHG65R020-4
  • 厂牌:Cmos/广东场效应半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: SiC MOS,TO-247-4,N场,耐压:650v,电流:100A,10V内阻(Max):0.026Ω,功率:350W,Vgs(±)CISS(typ):3500PF
    SiC MOS,TO-247-4,N场,耐压:650v,电流:100A,10V内阻(Max):0.026Ω,功率:350W,Vgs(±)CISS(typ):3500PF
  • 库   存:30000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥20.0225
  • 480+ ¥19.2216
  • 480+ ¥19.2216
合计:¥200.23
标准包装数量:240
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