处理中...

{{item.name}}

DMZ1015E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ1015E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):27V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):27V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3111
合计:¥0.31
标准包装数量:3000

DMZ42C10S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ42C10S
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):6Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):2.9V 栅极电荷量(Qg):2.43nC 输入电容(Ciss):90pF 反向传输电容(Crss):4.9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):25.6pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):6Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):2.9V 栅极电荷量(Qg):2.43nC 输入电容(Ciss):90pF 反向传输电容(Crss):4.9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):25.6pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4222
合计:¥0.42
标准包装数量:3000

DMX11C55EA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX11C55EA
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):28mA 导通电阻(RDS(on)):700Ω 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 栅极电荷量(Qg):560pC 输入电容(Ciss):11.4pF 反向传输电容(Crss):3.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):28mA 导通电阻(RDS(on)):700Ω 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 栅极电荷量(Qg):560pC 输入电容(Ciss):11.4pF 反向传输电容(Crss):3.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4444
合计:¥0.44
标准包装数量:3000

FTZ0P2N02G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTZ0P2N02G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4444
合计:¥0.44
标准包装数量:3000

DMX1015E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX1015E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):27V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):27V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5278
合计:¥0.53
标准包装数量:1000

DMZ30R25AL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ30R25AL
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5556
合计:¥0.56
标准包装数量:3000

DMX1520E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX1520E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.8889
合计:¥0.89
标准包装数量:4000

DMZ1511E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ1511E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):3nC@10V~0V 输入电容(Ciss):12.8pF 反向传输电容(Crss):3.3pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):5.4pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):3nC@10V~0V 输入电容(Ciss):12.8pF 反向传输电容(Crss):3.3pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):5.4pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.4444
合计:¥1.44
标准包装数量:3000

DMS40R60A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS40R60A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):150mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 栅极电荷量(Qg):2.41nC@5V 输入电容(Ciss):102pF 反向传输电容(Crss):3.69pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):16pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):150mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 栅极电荷量(Qg):2.41nC@5V 输入电容(Ciss):102pF 反向传输电容(Crss):3.69pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):16pF
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.8667
合计:¥1.87
标准包装数量:4000

DMX5530E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX5530E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):90mA 导通电阻(RDS(on)):70Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 栅极电荷量(Qg):215.4nC 输入电容(Ciss):58.5pF 反向传输电容(Crss):3.9pF 工作温度:-55℃~+150℃
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):90mA 导通电阻(RDS(on)):70Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 栅极电荷量(Qg):215.4nC 输入电容(Ciss):58.5pF 反向传输电容(Crss):3.9pF 工作温度:-55℃~+150℃
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.1333
合计:¥2.13
标准包装数量:1000

FTP0P1N15G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTP0P1N15G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):17A 导通电阻(RDS(on)):80mΩ@10V 耗散功率(Pd):80W 阈值电压(Vgs(th)):4.8V 栅极电荷量(Qg):36.5nC@10V 输入电容(Ciss):1.169nF 反向传输电容(Crss):36pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):138pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):17A 导通电阻(RDS(on)):80mΩ@10V 耗散功率(Pd):80W 阈值电压(Vgs(th)):4.8V 栅极电荷量(Qg):36.5nC@10V 输入电容(Ciss):1.169nF 反向传输电容(Crss):36pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):138pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3333
合计:¥3.33
标准包装数量:2000

FTE02P15G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTE02P15G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):2.3A 导通电阻(RDS(on)):200mΩ@10V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):1.8V 栅极电荷量(Qg):35.1nC@120V 输入电容(Ciss):1.42nF 反向传输电容(Crss):38.4pF 工作温度:-55℃~+150℃
    数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):2.3A 导通电阻(RDS(on)):200mΩ@10V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):1.8V 栅极电荷量(Qg):35.1nC@120V 输入电容(Ciss):1.42nF 反向传输电容(Crss):38.4pF 工作温度:-55℃~+150℃
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3333
合计:¥3.73
标准包装数量:4000
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧