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AKF30N5P0SX 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AKF30N5P0SX
  • 厂牌:ARK MICRO/成都方舟微电子
  • 封装:PDFN-3
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):59A 导通电阻(RDS(on)):5mΩ@10V 耗散功率(Pd):28W 阈值电压(Vgs(th)):2V 栅极电荷量(Qg):33nC@0V 输入电容(Ciss):1.527nF 反向传输电容(Crss):151pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):187pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):59A 导通电阻(RDS(on)):5mΩ@10V 耗散功率(Pd):28W 阈值电压(Vgs(th)):2V 栅极电荷量(Qg):33nC@0V 输入电容(Ciss):1.527nF 反向传输电容(Crss):151pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):187pF
  • 库   存:5000
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.55
  • 50+ ¥0.43
  • 150+ ¥0.39
  • 500+ ¥0.35
  • 2500+ ¥0.3158
  • 5000+ ¥0.2975
合计:¥2.75
标准包装数量:5000

DMZ1521E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ1521E
  • 厂牌:ARK MICRO/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):3nC 输入电容(Ciss):12.8pF 反向传输电容(Crss):3.3pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 输出电容(Coss):5.4pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):3nC 输入电容(Ciss):12.8pF 反向传输电容(Crss):3.3pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 输出电容(Coss):5.4pF
  • 库   存:2265
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.64
  • 50+ ¥0.59
  • 150+ ¥0.53
  • 500+ ¥0.47
  • 3000+ ¥0.42
  • 6000+ ¥0.3948
合计:¥3.20
标准包装数量:3000

DMZ6005E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ6005E
  • 厂牌:ARK MICRO/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20mA 导通电阻(RDS(on)):700Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):1.55nC 输入电容(Ciss):12.3pF 反向传输电容(Crss):1.8pF 工作温度:-55℃~+150℃
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20mA 导通电阻(RDS(on)):700Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):1.55nC 输入电容(Ciss):12.3pF 反向传输电容(Crss):1.8pF 工作温度:-55℃~+150℃
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.82
  • 50+ ¥0.69
  • 150+ ¥0.63
  • 500+ ¥0.57
  • 3000+ ¥0.49
  • 6000+ ¥0.47
合计:¥4.10
标准包装数量:3000

DMZ1520E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ1520E
  • 厂牌:ARK MICRO/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):5.5V 栅极电荷量(Qg):3nC 输入电容(Ciss):12.8pF 反向传输电容(Crss):3.3pF 工作温度:-55℃~+150℃
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):5.5V 栅极电荷量(Qg):3nC 输入电容(Ciss):12.8pF 反向传输电容(Crss):3.3pF 工作温度:-55℃~+150℃
  • 库   存:2789
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.41
  • 50+ ¥1.12
  • 150+ ¥1
  • 500+ ¥0.85
  • 3000+ ¥0.72
  • 6000+ ¥0.68
合计:¥7.05
标准包装数量:3000

DMX1072 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX1072
  • 厂牌:ARK MICRO/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 输入电容(Ciss):81.3pF 反向传输电容(Crss):6.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):32.7pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 输入电容(Ciss):81.3pF 反向传输电容(Crss):6.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):32.7pF
  • 库   存:1240
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0359
  • 10+ ¥4.1406
  • 30+ ¥3.4691
  • 100+ ¥3.1334
  • 500+ ¥2.7977
  • 1000+ ¥2.6858
合计:¥5.04
标准包装数量:1000

DMX4022E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX4022E
  • 厂牌:ARK MICRO/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 输入电容(Ciss):103.2pF 反向传输电容(Crss):5.2pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):17.7pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 输入电容(Ciss):103.2pF 反向传输电容(Crss):5.2pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):17.7pF
  • 库   存:232
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.7327
  • 10+ ¥5.4001
  • 30+ ¥4.7893
  • 100+ ¥4.0952
  • 500+ ¥3.8175
  • 1000+ ¥3.5399
合计:¥6.73
标准包装数量:1000

DMX0622E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX0622E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):25V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):1.5pF 反向传输电容(Crss):0.74pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 输出电容(Coss):2.6pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):25V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):1.5pF 反向传输电容(Crss):0.74pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 输出电容(Coss):2.6pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3667
合计:¥0.37
标准包装数量:1000

DMX0615E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX0615E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):20V 栅极电荷量(Qg):9nC 输入电容(Ciss):1.5pF 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:-
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):20V 栅极电荷量(Qg):9nC 输入电容(Ciss):1.5pF 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:-
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3778
合计:¥0.38
标准包装数量:1000

DMZ6001E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ6001E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):2mA 导通电阻(RDS(on)):110Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):970pC 输入电容(Ciss):34.5pF 反向传输电容(Crss):2.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):9.2pF 栅极电压(Vgs):±20V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):2mA 导通电阻(RDS(on)):110Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):970pC 输入电容(Ciss):34.5pF 反向传输电容(Crss):2.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):9.2pF 栅极电压(Vgs):±20V
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4222
合计:¥0.42
标准包装数量:3000

DMX1318E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX1318E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5889
合计:¥0.59
标准包装数量:4000

FTS10N15G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTS10N15G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):350mA 导通电阻(RDS(on)):10Ω@10V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):2.5V 栅极电荷量(Qg):1.2nC@5V 输入电容(Ciss):32.8pF 反向传输电容(Crss):4.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):17.2pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):350mA 导通电阻(RDS(on)):10Ω@10V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):2.5V 栅极电荷量(Qg):1.2nC@5V 输入电容(Ciss):32.8pF 反向传输电容(Crss):4.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):17.2pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.8444
合计:¥0.84
标准包装数量:4000

AKF20P45D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AKF20P45D
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:DFN-2
  • 描述: 数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)):160mΩ@1.5V 耗散功率(Pd):7.8W 阈值电压(Vgs(th)):1V 栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
    数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)):160mΩ@1.5V 耗散功率(Pd):7.8W 阈值电压(Vgs(th)):1V 栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1111
合计:¥1.11
标准包装数量:3000

FTD03N20G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTD03N20G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)):4Ω@10V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):2.4V 栅极电荷量(Qg):5.15nC 输入电容(Ciss):178.2pF 反向传输电容(Crss):3.82pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):34pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)):4Ω@10V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):2.4V 栅极电荷量(Qg):5.15nC 输入电容(Ciss):178.2pF 反向传输电容(Crss):3.82pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):34pF
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2222
合计:¥2.22
标准包装数量:3600

DMX0652E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX0652E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)):500mΩ@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):11.3nC 输入电容(Ciss):543.3pF 反向传输电容(Crss):3.2pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):96.5pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)):500mΩ@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):11.3nC 输入电容(Ciss):543.3pF 反向传输电容(Crss):3.2pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):96.5pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3111
合计:¥2.31
标准包装数量:1000

FTZ30P35G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTZ30P35G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
    数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.7778
合计:¥2.78
标准包装数量:3000

FTD03P20G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTD03P20G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: 数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):2.4V 栅极电荷量(Qg):6.5nC@10V 输入电容(Ciss):228.3pF 反向传输电容(Crss):6.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
    数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):2.4V 栅极电荷量(Qg):6.5nC@10V 输入电容(Ciss):228.3pF 反向传输电容(Crss):6.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3333
合计:¥3.33
标准包装数量:3600

DMS42C10A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS42C10A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):2nC 输入电容(Ciss):91.4pF 反向传输电容(Crss):5.7pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):29.4pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):2nC 输入电容(Ciss):91.4pF 反向传输电容(Crss):5.7pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):29.4pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.1556
合计:¥4.16
标准包装数量:4000

DMF1072 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMF1072
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 栅极电荷量(Qg):2.52nC@5V 输入电容(Ciss):81.3pF 反向传输电容(Crss):6.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):32.7pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 栅极电荷量(Qg):2.52nC@5V 输入电容(Ciss):81.3pF 反向传输电容(Crss):6.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):32.7pF
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.1111
合计:¥6.11
标准包装数量:3000

FTE15C35G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTE15C35G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 数量:1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道+P沟道
    数量:1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道+P沟道
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
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标准包装数量:4000

DMX42C10A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX42C10A
  • 厂牌:ARK micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):2nC 输入电容(Ciss):91.4pF 反向传输电容(Crss):5.7pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):29.4pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):3Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):2nC 输入电容(Ciss):91.4pF 反向传输电容(Crss):5.7pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):29.4pF
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