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SIA914DJ-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIA914DJ-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOT
  • 描述: 1.9KW 8V 1V 4.1nC@ 4.5V,7nC@ 8V 20V 53mΩ@ 4.5V 400pF@ 10V SOT 黏合安装 2.05mm*2.05mm*750μm
    1.9KW 8V 1V 4.1nC@ 4.5V,7nC@ 8V 20V 53mΩ@ 4.5V 400pF@ 10V SOT 黏合安装 2.05mm*2.05mm*750μm
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    12-19工作日
  • 3000+ $0.3192 ¥2.6972
合计:¥8,091.60
标准包装数量:3000

SIS626DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS626DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:--
  • 描述: 52W(Tc) 12V 1.4V@ 250µA 60nC@ 10V 1个N沟道 25V 9mΩ@ 10A,10V 16A 1.925nF@15V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
    52W(Tc) 12V 1.4V@ 250µA 60nC@ 10V 1个N沟道 25V 9mΩ@ 10A,10V 16A 1.925nF@15V 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.04mm
  • 库   存:6000
  • 起订量:1166
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    8-18工作日
    内地交货(含增值税)
    9-19工作日
  • 1+ $0.429 ¥3.6251
合计:¥4,226.87
标准包装数量:1

IRFI9640GPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFI9640GPBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-220-3
  • 描述: 40W(Tc) 20V 4V@ 250µA 44nC@ 10 V 1个P沟道 200V 500mΩ@ 3.7A,10V 6.1A 1.2nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.41mm*4.7mm*15.49mm
    40W(Tc) 20V 4V@ 250µA 44nC@ 10 V 1个P沟道 200V 500mΩ@ 3.7A,10V 6.1A 1.2nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.41mm*4.7mm*15.49mm
  • 库   存:400
  • 起订量:150
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 50+ $0.8849 ¥7.4949
  • 500+ $0.8849 ¥7.4949
合计:¥1,124.24
标准包装数量:0

SQM40N10-30_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM40N10-30_GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-263
  • 描述: 107W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个N沟道 100V 30mΩ@ 15A,10V 40A 3.345nF@25V TO-263 贴片安装
    107W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 62nC@ 10 V 1个N沟道 100V 30mΩ@ 15A,10V 40A 3.345nF@25V TO-263 贴片安装
  • 库   存:1114
  • 起订量:18
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-16工作日
  • 1+ ¥12.6474
  • 10+ ¥12.4274
  • 100+ ¥12.2075
  • 500+ ¥10.9977
合计:¥223.69
标准包装数量:1

IRFPC60PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFPC60PBF
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: N channel ;VBRDSS 600 V; RDSon 400 mOh
    N channel ;VBRDSS 600 V; RDSon 400 mOh
  • 库   存:8975
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10工作日
  • 300+ ¥14.152
  • 800+ ¥13.688
  • 1300+ ¥13.456
  • 1800+ ¥13.34
合计:¥7,076.00
标准包装数量:500

SUD25N15-52-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD25N15-52-BE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 3W(Ta),136W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 150V 52mΩ@ 5A,10V 25A 1.725nF@25V TO-252AA 贴片安装
    3W(Ta),136W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 150V 52mΩ@ 5A,10V 25A 1.725nF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:8000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥15.2889
  • 4000+ ¥15.1646
  • 6000+ ¥14.916
  • 10000+ ¥14.6674
合计:¥30,577.80
标准包装数量:2000

SIHP25N60EFL-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP25N60EFL-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 250W(Tc) 5V@ 250µA 75nC@ 10 V 1个N沟道 600V 146mΩ@ 12.5A,10V 25A 2.274nF@100V TO-220AB 通孔安装
    250W(Tc) 5V@ 250µA 75nC@ 10 V 1个N沟道 600V 146mΩ@ 12.5A,10V 25A 2.274nF@100V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    14-19工作日
    内地交货(含增值税)
    15-19工作日
  • 100+ $2.952 ¥25.092
  • 500+ $2.856 ¥24.276
  • 1000+ $2.832 ¥24.072
合计:¥2,509.20
标准包装数量:1

SI8810EDB-T2-E1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI8810EDB-T2-E1
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:MICROFOOT-4
  • 描述: 500mW(Ta) 8V 900mV@ 250µA 8nC@ 8 V 1个N沟道 20V 72mΩ@ 1A,4.5V 245pF@10V MICROFOOT-4 贴片安装 1.6mm*1.6mm*650μm
    500mW(Ta) 8V 900mV@ 250µA 8nC@ 8 V 1个N沟道 20V 72mΩ@ 1A,4.5V 245pF@10V MICROFOOT-4 贴片安装 1.6mm*1.6mm*650μm
  • 库   存:66210
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.1599 ¥1.3258
  • 9000+ $0.1388 ¥1.1503
合计:¥3,977.40
标准包装数量:1

SQ2361CES-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2361CES-T1_BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  • 库   存:4256
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.1807 ¥1.498
  • 9000+ $0.1573 ¥1.3042
合计:¥4,494.00
标准包装数量:1

SIS126DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS126DN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 45.1 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 45.1 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:12375
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.4853 ¥4.0232
  • 9000+ $0.4341 ¥3.5985
合计:¥12,069.60
标准包装数量:1

SIHFR9024TR-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFR9024TR-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个P沟道 60V 280mΩ@ 5.3A,10V 8.8A 570pF@25V TO-252AA 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个P沟道 60V 280mΩ@ 5.3A,10V 8.8A 570pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:1387
  • 起订量:77
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 50+ $0.6854 ¥5.6817
  • 100+ $0.6087 ¥5.046
  • 500+ $0.4739 ¥3.9287
合计:¥437.49
标准包装数量:1

SQ2361ES-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2361ES-T1_BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 2W(Tc) 2.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 60V 177mΩ@ 2.4A,10V 2.8A 550pF@30V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    2W(Tc) 2.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 60V 177mΩ@ 2.4A,10V 2.8A 550pF@30V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:36000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $0.7659 ¥6.357
  • 500+ $0.5756 ¥4.7778
  • 1000+ $0.5054 ¥4.1952
  • 3000+ $0.445 ¥3.6932
  • 6000+ $0.3974 ¥3.2988
  • 9000+ $0.3812 ¥3.1643
  • 24000+ $0.3359 ¥2.7878
合计:¥222.50
标准包装数量:1

SI5424DC-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI5424DC-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:CHIPFET-8
  • 描述: 2.5W(Ta),6.25W(Tc) 25V 2.3V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 30V 24mΩ@ 4.8A,10V 6A 950pF@15V CHIPFET-8 贴片安装 3.05mm*1.65mm*1.1mm
    2.5W(Ta),6.25W(Tc) 25V 2.3V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 30V 24mΩ@ 4.8A,10V 6A 950pF@15V CHIPFET-8 贴片安装 3.05mm*1.65mm*1.1mm
  • 库   存:620
  • 起订量:62
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $0.8472 ¥7.0236
  • 100+ $0.5581 ¥4.6269
  • 500+ $0.4342 ¥3.5994
  • 1000+ $0.3943 ¥3.2685
合计:¥435.46
标准包装数量:1

IRFR120PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR120PBF-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 100V 270mΩ@ 4.6A,10V 7.7A 360pF@25V TO-252AA 贴片安装
    2.5W(Ta),42W(Tc) 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 100V 270mΩ@ 4.6A,10V 7.7A 360pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:23820
  • 起订量:26
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.0235 ¥8.4951
  • 100+ $0.7909 ¥6.5645
  • 500+ $0.6718 ¥5.5756
  • 1000+ $0.6404 ¥5.3157
  • 3000+ $0.5897 ¥4.8943
  • 6000+ $0.4828 ¥4.0069
合计:¥220.87
标准包装数量:1

IRFR010PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR010PBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: 25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个N沟道 50V 200mΩ@ 4.6A,10V 8.2A 250pF@25V TO-252 贴片安装
    25W(Tc) 20V 4V@ 250µA 10nC@ 10 V 1个N沟道 50V 200mΩ@ 4.6A,10V 8.2A 250pF@25V TO-252 贴片安装
  • 库   存:2825
  • 起订量:24
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.1167 ¥9.2682
  • 100+ $0.9592 ¥7.9614
  • 500+ $0.7916 ¥6.5706
  • 1000+ $0.7366 ¥6.1134
  • 3000+ $0.6869 ¥5.7011
  • 6000+ $0.6707 ¥5.5666
  • 9000+ $0.6631 ¥5.5039
合计:¥222.44
标准包装数量:1

IRFR110TRPBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR110TRPBF-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),25W(Tc) 4V@ 250µA 8.3nC@ 10 V 1个N沟道 100V 540mΩ@ 2.6A,10V 4.3A 180pF@25V TO-252AA 贴片安装
    2.5W(Ta),25W(Tc) 4V@ 250µA 8.3nC@ 10 V 1个N沟道 100V 540mΩ@ 2.6A,10V 4.3A 180pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:32856
  • 起订量:24
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.1408 ¥9.4686
  • 100+ $0.7546 ¥6.2632
  • 500+ $0.5821 ¥4.8316
  • 1000+ $0.4979 ¥4.1324
  • 2000+ $0.4147 ¥3.4422
  • 4000+ $0.3802 ¥3.1553
合计:¥227.25
标准包装数量:1

IRFZ14PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ14PBF-BE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 43W(Tc) 4V@ 250µA 11nC@ 10 V 1个N沟道 60V 200mΩ@ 6A,10V 10A 300pF@25V TO-220AB 通孔安装
    43W(Tc) 4V@ 250µA 11nC@ 10 V 1个N沟道 60V 200mΩ@ 6A,10V 10A 300pF@25V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:1704
  • 起订量:22
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 10+ $1.2535 ¥10.4041
  • 100+ $0.9471 ¥7.8609
  • 500+ $0.7387 ¥6.1314
  • 1000+ $0.6664 ¥5.5308
  • 2000+ $0.6631 ¥5.5039
  • 5000+ $0.6458 ¥5.3605
  • 10000+ $0.607 ¥5.0378
合计:¥228.89
标准包装数量:1

SI7634BDP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7634BDP-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:--
  • 描述: 5W(Ta),48W(Tc) 20V 2.6V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.4mΩ@ 15A,10V 40A 3.15nF@15V 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
    5W(Ta),48W(Tc) 20V 2.6V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.4mΩ@ 15A,10V 40A 3.15nF@15V 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
  • 库   存:9000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 3000+ $1.9942 ¥16.4522
合计:¥49,356.60
标准包装数量:3000

SIHA12N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHA12N60E-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-220
  • 描述: 33W(Tc) 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 600V 380mΩ@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-220 通孔安装
    33W(Tc) 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 600V 380mΩ@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-220 通孔安装
  • 库   存:998
  • 起订量:22
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ $2.4408 ¥20.2342
  • 100+ $1.6945 ¥14.0476
  • 500+ $1.3756 ¥11.4039
合计:¥445.15
标准包装数量:1

SIHB35N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHB35N60EF-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: 250W(Tc) 30V 4V@ 250µA 134nC@ 10 V 1个N沟道 600V 97mΩ@ 17A,10V 32A 2.568nF@100V TO-263-3 贴片安装
    250W(Tc) 30V 4V@ 250µA 134nC@ 10 V 1个N沟道 600V 97mΩ@ 17A,10V 32A 2.568nF@100V TO-263-3 贴片安装
  • 库   存:13000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 500+ $1.3756 ¥11.4039
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