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SI2347DS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2347DS-T1-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 1.2W(Ta),1.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个P沟道 30V 42mΩ@ 3.8A,10V 3.8A;5A 705pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    1.2W(Ta),1.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个P沟道 30V 42mΩ@ 3.8A,10V 3.8A;5A 705pF@15V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:2731
  • 起订量:360
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 100+ $0.1327 ¥1.1239
  • 500+ $0.1305 ¥1.0961
  • 1000+ $0.1272 ¥1.0682
  • 5000+ $0.125 ¥1.0496
合计:¥404.60
标准包装数量:0

SQ1421EDH-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ1421EDH-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 3.3W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 5.4nC@ 4.5 V 1个P沟道 60V 290mΩ@ 2A,10V 1.6A 355pF@25V SC-70-6 贴片安装 2.1mm*1.25mm*1mm
    3.3W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 5.4nC@ 4.5 V 1个P沟道 60V 290mΩ@ 2A,10V 1.6A 355pF@25V SC-70-6 贴片安装 2.1mm*1.25mm*1mm
  • 库   存:12000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    11-14工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 3000+ $0.1991 ¥1.6862
  • 30000+ $0.1991 ¥1.6862
合计:¥5,058.60
标准包装数量:0

SQJB48EP-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 3000+ ¥3.3492
  • 30000+ ¥3.2488
合计:¥10,047.60
标准包装数量:3000

SI4214DDY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4214DDY-T1-E3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2W 20V 2.5V@ 250µA 22nC@ 10V 2个N沟道 30V 19.5mΩ@ 8A,10V 8.5A 660pF@15V SOIC-8 贴片安装 1.5mm(高度)
    2W 20V 2.5V@ 250µA 22nC@ 10V 2个N沟道 30V 19.5mΩ@ 8A,10V 8.5A 660pF@15V SOIC-8 贴片安装 1.5mm(高度)
  • 库   存:1325
  • 起订量:94
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $0.4653 ¥4.2995
  • 100+ $0.454 ¥4.2295
  • 500+ $0.4464 ¥4.1247
  • 1000+ $0.435 ¥4.0198
  • 5000+ $0.4275 ¥3.9499
合计:¥404.15
标准包装数量:0

SI4931DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4931DY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2KW 8V 1V@ 350µA 52nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 18mΩ@ 8.9A,4.5V 6.7A SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    2KW 8V 1V@ 350µA 52nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 18mΩ@ 8.9A,4.5V 6.7A SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:150
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-7工作日
  • 50+ ¥4.88
合计:¥244.00
标准包装数量:150

SQ4470EY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4470EY-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 7.1W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 60V 12mΩ@ 6A,10V 16A 3.165nF@25V SOIC-8 贴片安装
    7.1W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 60V 12mΩ@ 6A,10V 16A 3.165nF@25V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:4940
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 20+ ¥8.475
  • 100+ ¥7.927
  • 300+ ¥7.3224
  • 500+ ¥6.667
  • 1000+ ¥6.4975
合计:¥169.50
标准包装数量:2500

SIR414DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR414DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SO
  • 描述: 5.4W(Ta),83W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 117nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.8mΩ@ 20A,10V 50A 4.75nF@20V SO 贴片安装
    5.4W(Ta),83W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 117nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.8mΩ@ 20A,10V 50A 4.75nF@20V SO 贴片安装
  • 库   存:1499
  • 起订量:47
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $1.0165 ¥8.5388
  • 100+ $0.9917 ¥8.3999
  • 500+ $0.9752 ¥8.1917
  • 1000+ $0.9504 ¥7.9834
  • 5000+ $0.9339 ¥7.8446
合计:¥401.32
标准包装数量:0

IRF644STRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF644STRLPBF
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: 3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 250V 280mΩ@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装
    3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 68nC@ 10 V 1个N沟道 250V 280mΩ@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装
  • 库   存:758
  • 起订量:43
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $1.1334 ¥9.5209
  • 100+ $1.1058 ¥9.3661
  • 500+ $1.0874 ¥9.1339
  • 1000+ $1.0597 ¥8.9017
  • 5000+ $1.0413 ¥8.7469
合计:¥409.40
标准包装数量:0

SQM60N20-35_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM60N20-35_GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-263
  • 描述: 375W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 135nC@ 10 V 1个N沟道 200V 35mΩ@ 20A,10V 60A 5.85nF@25V TO-263 贴片安装
    375W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 135nC@ 10 V 1个N沟道 200V 35mΩ@ 20A,10V 60A 5.85nF@25V TO-263 贴片安装
  • 库   存:774
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 10+ $2.3981 ¥20.1443
  • 100+ $2.3396 ¥19.8168
  • 500+ $2.3006 ¥19.3254
  • 1000+ $2.2422 ¥18.8341
合计:¥402.89
标准包装数量:0

SQM40020E_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQM40020E_GE3
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-263
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:598
  • 起订量:200
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 200+ ¥24.2289
  • 400+ ¥23.5074
合计:¥4,845.78
标准包装数量:0

SIHG052N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG052N60EF-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 SiHG052N60EF系列, Vds=600 V, 48 A, TO-247AC封装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 SiHG052N60EF系列, Vds=600 V, 48 A, TO-247AC封装, 3引脚
  • 库   存:144
  • 起订量:7
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥39.9939
  • 10+ ¥35.1947
  • 100+ ¥34.5548
  • 500+ ¥34.5548
  • 1000+ ¥34.5548
合计:¥279.96
标准包装数量:0

SIHG80N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG80N60E-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: 520W(Tc) 30V 4V@ 250µA 443nC@ 10 V 1个N沟道 600V 30mΩ@ 40A,10V 80A 6.9nF@100V TO-247AC 通孔安装
    520W(Tc) 30V 4V@ 250µA 443nC@ 10 V 1个N沟道 600V 30mΩ@ 40A,10V 80A 6.9nF@100V TO-247AC 通孔安装
  • 库   存:7
  • 起订量:3
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥95.2922
  • 5+ ¥91.4805
  • 10+ ¥83.8571
  • 50+ ¥83.8571
  • 100+ ¥82.3325
  • 250+ ¥82.3325
合计:¥285.88
标准包装数量:0

SI5515CDC-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI5515CDC-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:1206
  • 描述: Vishay N/P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 4 A, 1206 ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N/P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 4 A, 1206 ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:9000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 3000+ $0.276 ¥2.277
  • 6000+ $0.2703 ¥2.2296
  • 9000+ $0.2703 ¥2.2296
  • 12000+ $0.2703 ¥2.2296
  • 15000+ $0.2645 ¥2.1821
合计:¥6,831.00
标准包装数量:3000

SIA421DJ-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIA421DJ-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:--
  • 描述: 3.5W(Ta),19W(Tc) 20V 3V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个P沟道 30V 35mΩ@ 5.3A,10V 12A 950pF@15V 贴片安装 2.05mm*2.05mm*750μm
    3.5W(Ta),19W(Tc) 20V 3V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个P沟道 30V 35mΩ@ 5.3A,10V 12A 950pF@15V 贴片安装 2.05mm*2.05mm*750μm
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 3000+ $0.3795 ¥3.1309
  • 6000+ $0.3738 ¥3.0834
  • 9000+ $0.368 ¥3.036
  • 12000+ $0.368 ¥3.036
合计:¥9,392.70
标准包装数量:3000

SQD15N06-42L_T4GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD15N06-42L_T4GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnologies
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 15nC@ 10V 42mΩ@ 10A,10V 15A TO-252AA
    15nC@ 10V 42mΩ@ 10A,10V 15A TO-252AA
  • 库   存:5000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 2500+ $0.4503 ¥3.7331
合计:¥9,332.75
标准包装数量:1

SQ4961EY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4961EY-T1_GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 3.3W 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 3.5A,10V 4.4A 1.14nF@25V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
    3.3W 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 3.5A,10V 4.4A 1.14nF@25V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
  • 库   存:45000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 2500+ $0.6095 ¥5.0284
  • 5000+ $0.598 ¥4.9335
合计:¥12,571.00
标准包装数量:2500

SI4124DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4124DY-T1-GE3
  • 厂牌:SILICONIX (VISHAY)
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:15000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 2500+ $0.7705 ¥6.3566
  • 5000+ $0.7533 ¥6.2143
合计:¥15,891.50
标准包装数量:2500

IRFIB6N60APBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFIB6N60APBF
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-220-3
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 5.5 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 5.5 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:998
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 50+ ¥20.4716
  • 250+ ¥18.4245
合计:¥1,023.58
标准包装数量:0

IRFP350LCPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP350LCPBF
  • 厂牌:Vishay
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 16 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 16 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:440
  • 起订量:25
  • 增   量:25
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 25+ ¥46.4858
  • 125+ ¥41.8375
合计:¥1,162.15
标准包装数量:0

SIR402DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR402DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:--
  • 描述: 4.2W(Ta),36W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 30V 6mΩ@ 20A,10V 35A 1.7nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
    4.2W(Ta),36W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 30V 6mΩ@ 20A,10V 35A 1.7nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
  • 库   存:9000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5周
  • 3000+ ¥7.3196
  • 3000+ ¥7.3196
合计:¥21,958.80
标准包装数量:3000
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