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DMZ0622E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ0622E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):25V 栅极电荷量(Qg):9nC 输入电容(Ciss):1.5pF 反向传输电容(Crss):0.74pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 输出电容(Coss):2.6pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):25V 栅极电荷量(Qg):9nC 输入电容(Ciss):1.5pF 反向传输电容(Crss):0.74pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 输出电容(Coss):2.6pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3444
合计:¥0.34
标准包装数量:3000

DMZ1015EL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ1015EL
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3889
合计:¥0.39
标准包装数量:3000

FTZ20N01G5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTZ20N01G5
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):500mA 导通电阻(RDS(on)):1.55Ω 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):4.65V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):- 栅极电压(Vgs):±20V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):500mA 导通电阻(RDS(on)):1.55Ω 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):4.65V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):- 栅极电压(Vgs):±20V
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4
合计:¥0.40
标准包装数量:3000

DMZ11C55EA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ11C55EA
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20mA 导通电阻(RDS(on)):600Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):560pC 输入电容(Ciss):11.4pF 反向传输电容(Crss):3.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):7.7pF 栅极电压(Vgs):±20V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20mA 导通电阻(RDS(on)):600Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):560pC 输入电容(Ciss):11.4pF 反向传输电容(Crss):3.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):7.7pF 栅极电压(Vgs):±20V
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4222
合计:¥0.42
标准包装数量:3000

DMX1315EL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX1315EL
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):130V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):20V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):130V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):20V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4667
合计:¥0.47
标准包装数量:1000

AKL30N5P0SD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AKL30N5P0SD
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)):12.5mΩ@10V 耗散功率(Pd):2W 阈值电压(Vgs(th)):2V 栅极电荷量(Qg):18.8nC@10V 输入电容(Ciss):1.527nF 反向传输电容(Crss):151pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):187pF
    数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)):12.5mΩ@10V 耗散功率(Pd):2W 阈值电压(Vgs(th)):2V 栅极电荷量(Qg):18.8nC@10V 输入电容(Ciss):1.527nF 反向传输电容(Crss):151pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):187pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6667
合计:¥0.67
标准包装数量:5000

DMZ6005EH 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ6005EH
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20mA 导通电阻(RDS(on)):500Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 输入电容(Ciss):12.3pF 反向传输电容(Crss):1.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):2.6pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20mA 导通电阻(RDS(on)):500Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 输入电容(Ciss):12.3pF 反向传输电容(Crss):1.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):2.6pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7111
合计:¥0.71
标准包装数量:3000

FTF065N10G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTF065N10G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.3778
合计:¥1.38
标准包装数量:5000

DMZ0642 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ0642
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):1Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):3.3nC 输入电容(Ciss):115.6pF 反向传输电容(Crss):3.9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):35.6pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):1Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):3.3nC 输入电容(Ciss):115.6pF 反向传输电容(Crss):3.9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):35.6pF
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.7444
合计:¥1.74
标准包装数量:3000

DMS40R60A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS40R60A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):150mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 栅极电荷量(Qg):2.41nC@5V 输入电容(Ciss):102pF 反向传输电容(Crss):3.69pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):16pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):150mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 栅极电荷量(Qg):2.41nC@5V 输入电容(Ciss):102pF 反向传输电容(Crss):3.69pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):16pF
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.8667
合计:¥1.87
标准包装数量:4000

FTX15N35G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTX15N35G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2
合计:¥2.00
标准包装数量:1000

FTX30P35G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTX30P35G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道 输出电容(Coss):6.94pF
    数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道 输出电容(Coss):6.94pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3
合计:¥3.00
标准包装数量:1000

DMX22C40A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMX22C40A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):120mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):3.7nC 输入电容(Ciss):84pF 反向传输电容(Crss):3.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):15.1pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):120mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):3.7nC 输入电容(Ciss):84pF 反向传输电容(Crss):3.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):15.1pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4
合计:¥4.00
标准包装数量:1000

DMZ85200E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ85200E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):10mA 导通电阻(RDS(on)):200Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):1.57nC 输入电容(Ciss):30.3pF 反向传输电容(Crss):2.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:独立式 类型:N沟道 输出电容(Coss):9.2pF 栅极电压(Vgs):±20V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):10mA 导通电阻(RDS(on)):200Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):1.57nC 输入电容(Ciss):30.3pF 反向传输电容(Crss):2.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:独立式 类型:N沟道 输出电容(Coss):9.2pF 栅极电压(Vgs):±20V
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.5556
合计:¥5.56
标准包装数量:3000

DMS4022E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS4022E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):240mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):- 输入电容(Ciss):103.2pF 反向传输电容(Crss):5.2pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):17.7pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):240mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):- 输入电容(Ciss):103.2pF 反向传输电容(Crss):5.2pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):17.7pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.1111
合计:¥6.11
标准包装数量:4000

DMS8515E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS8515E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):13.6nC 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):13.6nC 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.2222
合计:¥7.22
标准包装数量:4000

FTF50P35DHVT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTF50P35DHVT
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:PDFN-3
  • 描述: 数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):500mA 导通电阻(RDS(on)):50Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):5V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道 输出电容(Coss):- 栅极电压(Vgs):±20V
    数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):500mA 导通电阻(RDS(on)):50Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):5V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道 输出电容(Coss):- 栅极电压(Vgs):±20V
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.8889
合计:¥8.89
标准包装数量:5000

FTF25N35DHVT 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTF25N35DHVT
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:PDFN-3
  • 描述: 数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):900mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):5V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):- 栅极电压(Vgs):±20V
    数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):900mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):5V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):- 栅极电压(Vgs):±20V
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.8889
合计:¥8.89
标准包装数量:5000

DMS04R60A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS04R60A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):8Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):4.5V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):495pF 反向传输电容(Crss):4.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):33pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):400mA 导通电阻(RDS(on)):8Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):4.5V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):495pF 反向传输电容(Crss):4.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):33pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.7778
合计:¥9.78
标准包装数量:4000

DMB16C20A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMB16C20A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-263
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):16A 导通电阻(RDS(on)):80mΩ@0V 耗散功率(Pd):230W 阈值电压(Vgs(th)):4.5V 栅极电荷量(Qg):130nC@6V~6V 输入电容(Ciss):10.2nF 反向传输电容(Crss):83pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):545pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):16A 导通电阻(RDS(on)):80mΩ@0V 耗散功率(Pd):230W 阈值电压(Vgs(th)):4.5V 栅极电荷量(Qg):130nC@6V~6V 输入电容(Ciss):10.2nF 反向传输电容(Crss):83pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):545pF
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.7778
合计:¥35.00
标准包装数量:800
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