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DMZ6012E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ6012E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):40mA 导通电阻(RDS(on)):150Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):8nC 输入电容(Ciss):62pF 反向传输电容(Crss):9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):13pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):40mA 导通电阻(RDS(on)):150Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):8nC 输入电容(Ciss):62pF 反向传输电容(Crss):9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):13pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3667
合计:¥0.37
标准包装数量:3000

DMZ1315EL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ1315EL
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):130V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):20V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):130V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):20V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4444
合计:¥0.44
标准包装数量:3000

DMZ1315E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ1315E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):130V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):27V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):130V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):27V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4444
合计:¥0.44
标准包装数量:3000

DMZ12C15A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMZ12C15A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):5V 栅极电荷量(Qg):1.1nC 输入电容(Ciss):33.2pF 反向传输电容(Crss):6.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:- 输出电容(Coss):12.8pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):5V 栅极电荷量(Qg):1.1nC 输入电容(Ciss):33.2pF 反向传输电容(Crss):6.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:- 输出电容(Coss):12.8pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5556
合计:¥0.56
标准包装数量:3000

AKF20P45D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AKF20P45D
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:DFN-2
  • 描述: 数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)):160mΩ@1.5V 耗散功率(Pd):7.8W 阈值电压(Vgs(th)):1V 栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
    数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)):160mΩ@1.5V 耗散功率(Pd):7.8W 阈值电压(Vgs(th)):1V 栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1111
合计:¥1.11
标准包装数量:3000

FTF068N10G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTF068N10G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.3778
合计:¥1.38
标准包装数量:5000

FTS01N15G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTS01N15G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):1.3A 导通电阻(RDS(on)):1Ω@5V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):2.5V 栅极电荷量(Qg):9.5nC@5V 输入电容(Ciss):320.5pF 反向传输电容(Crss):27.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):120.5pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):1.3A 导通电阻(RDS(on)):1Ω@5V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):2.5V 栅极电荷量(Qg):9.5nC@5V 输入电容(Ciss):320.5pF 反向传输电容(Crss):27.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):120.5pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.7556
合计:¥1.76
标准包装数量:4000

OPV1122S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: OPV1122S
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: #REF!
    #REF!
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.7778
合计:¥1.78
标准包装数量:2000

DMS60R60A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS60R60A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):40Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 输入电容(Ciss):64.8pF 反向传输电容(Crss):3.55pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):13pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):40Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 输入电容(Ciss):64.8pF 反向传输电容(Crss):3.55pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):13pF
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2222
合计:¥2.22
标准包装数量:4000

DMS6014E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS6014E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):80mA 导通电阻(RDS(on)):150Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):8nC 输入电容(Ciss):62pF 反向传输电容(Crss):9pF 工作温度:-55℃~+150℃
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):80mA 导通电阻(RDS(on)):150Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):8nC 输入电容(Ciss):62pF 反向传输电容(Crss):9pF 工作温度:-55℃~+150℃
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.6
合计:¥3.60
标准包装数量:4000

DMD6014E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMD6014E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):80mA 导通电阻(RDS(on)):150Ω@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):62pF 反向传输电容(Crss):9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):13pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):80mA 导通电阻(RDS(on)):150Ω@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):3.3V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):62pF 反向传输电容(Crss):9pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):13pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8
合计:¥4.80
标准包装数量:3600

FTF15C35G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTF15C35G
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:PDFN-3
  • 描述: 数量:1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF;32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF;0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道+P沟道
    数量:1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):300mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):43.39pF;32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF;0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道+P沟道
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.4444
合计:¥6.44
标准包装数量:5000

DMS8550E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMS8550E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):120mA 导通电阻(RDS(on)):100Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):4.5nC 输入电容(Ciss):114.6pF 反向传输电容(Crss):3.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):12.3pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):120mA 导通电阻(RDS(on)):100Ω@0V 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):4.5nC 输入电容(Ciss):114.6pF 反向传输电容(Crss):3.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):12.3pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.7778
合计:¥7.78
标准包装数量:4000

FTF15N35D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTF15N35D
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:PDFN-3
  • 描述: 数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):3V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):5.36pF
    数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):3V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):5.36pF
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.8889
合计:¥8.89
标准包装数量:5000

FTF30P35D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTF30P35D
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:PDFN-3
  • 描述: 数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):500mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):3V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:P沟道 输出电容(Coss):-
    数量:2个P沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):500mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):3V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):43.39pF 反向传输电容(Crss):0.84pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:P沟道 输出电容(Coss):-
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.8889
合计:¥8.89
标准包装数量:5000

DMB8515E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMB8515E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):600mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):42W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):13.6nC@10V 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):600mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):42W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):13.6nC@10V 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.1111
合计:¥11.11
标准包装数量:800

DMD8515E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMD8515E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):13.6nC 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):13.6nC 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥13.7778
合计:¥13.78
标准包装数量:3600

DMD4523E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMD4523E
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-252
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):450V 连续漏极电流(Id):3.75A 导通电阻(RDS(on)):2Ω@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):158.82nC@6V~0V 输入电容(Ciss):1.11pF 反向传输电容(Crss):6.54pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):62.8pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):450V 连续漏极电流(Id):3.75A 导通电阻(RDS(on)):2Ω@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):158.82nC@6V~0V 输入电容(Ciss):1.11pF 反向传输电容(Crss):6.54pF 工作温度:-55℃~+150℃ 输出电容(Coss):62.8pF
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥16.6667
合计:¥16.67
标准包装数量:3600

DMD01R120A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMD01R120A
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:--
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)):160mΩ@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):12V 栅极电荷量(Qg):59nC@18V 输入电容(Ciss):450pF 反向传输电容(Crss):47pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):52pF
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)):160mΩ@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):12V 栅极电荷量(Qg):59nC@18V 输入电容(Ciss):450pF 反向传输电容(Crss):47pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):52pF
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥62.2222
合计:¥62.22
标准包装数量:2500

FTZ15N35G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FTZ15N35G
  • 厂牌:ARK micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3V 输入电容(Ciss):32.58pF 反向传输电容(Crss):0.75pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
  • 库   存:20000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2000+ ¥2.064
  • 4000+ ¥2.03
  • 6000+ ¥1.978
  • 6000+ ¥1.978
合计:¥4,128.00
标准包装数量:2000
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