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VBQE165A10S 氮化镓场效应管

  • 型号: VBQE165A10S
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:5000

INN650D350A-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: INN650D350A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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合计:¥47.15
标准包装数量:5000

INN700DC100E-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700DC100E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN5x6具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN5x6具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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INN700D190B-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700D190B-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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INN650D240A-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: INN650D240A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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AONV240V70GA1-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: AONV240V70GA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN 8x8,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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TP65H150BG4JSG-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: TP65H150BG4JSG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN5x6具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN5x6具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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IGL65R140D2-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: IGL65R140D2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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GS-065-008-1-L-TR-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: GS-065-008-1-L-TR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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TP65H150G4LSGBE-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: TP65H150G4LSGBE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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TP65H100G4LSGB-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: TP65H100G4LSGB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
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GAN140-650EBE-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: GAN140-650EBE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
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INN700DC170E-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700DC170E-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
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标准包装数量:5000

IGL65R080D2-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: IGL65R080D2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
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标准包装数量:5000

AONS240V70GA1-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: AONS240V70GA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
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GS-065-008-6-L-TR-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: GS-065-008-6-L-TR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
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IGLD65R055D2-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: IGLD65R055D2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:5000

GANE350-650FBA-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: GANE350-650FBA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:5000

IGLR70R270D2S-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: IGLR70R270D2S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。封装为DFN5x6,氮化镓具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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    5-7工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
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  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:5000

INN700D140C-VB 氮化镓场效应管

  • 型号: INN700D140C-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:DFN
  • 描述: 台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
    台积电流片,长电封测。氮化镓,650V,20A,RDS(ON)=110mΩ@6V,VGS=-1.7~7V,VGS(th)=1.2~2.5V,封装为DFN 8x8具有高频低损、高效节能、体积紧凑的特性,热门应用覆盖快充、服务器电源、5G 射频、车载 OBC 领域。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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