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GC3M0060065K 碳化硅场效应管

  • 型号: GC3M0060065K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 37A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 37A
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