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K4ABG085WA-MCWE 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:0
  • 起订量:100
  • 增   量:1
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    5-10工作日
  • 100+ ¥134.2
合计:¥13,420.00
标准包装数量:1

K3KL3L30CM-BGCU 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:0
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-7工作日
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  • 50+ ¥1058.6364
合计:¥52,931.82
标准包装数量:1280

K4Z80325BC-HC16 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4Z80325BC-HC16
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:FBGA-180
  • 描述: 8G Bit GDDR6 SDRAM Chip
    8G Bit GDDR6 SDRAM Chip
  • 库   存:42560
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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K4A8G165WG-BCWE 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:21200
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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合计:0.00
标准包装数量:0

K4B4G1646E-BCNB 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B4G1646E-BCNB
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:FBGA-96
  • 描述: 512MB 256Mx16 1.425V 145mA 1.575V 2.133GHz SSTL_1.5 16bit FBGA-96 贴片安装 13.3mm*7.5mm*1.1mm
    512MB 256Mx16 1.425V 145mA 1.575V 2.133GHz SSTL_1.5 16bit FBGA-96 贴片安装 13.3mm*7.5mm*1.1mm
  • 库   存:6720
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  • 增   量:1
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K4U6E3S4AA-MGCL 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:2000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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标准包装数量:0

K4D263238I-UC50000 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4D263238I-UC50000
  • 厂牌:Samsung Electronics
  • 封装:--
  • 描述: 128 MBIT GDDR SDRAM
    128 MBIT GDDR SDRAM
  • 库   存:1615
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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标准包装数量:1

K4F151611D-JC60 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4F151611D-JC60
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:SOJ
  • 描述: 2MB 1Mx16 3V,4.5V 80mA 3.6V,5.5V LVTTL,TTL 16bit SOJ
    2MB 1Mx16 3V,4.5V 80mA 3.6V,5.5V LVTTL,TTL 16bit SOJ
  • 库   存:639
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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K4B4G0846E-BYMA 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B4G0846E-BYMA
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:BGA
  • 描述: 512MB 512Mx8 1.283V,1.425V 64mA 1.45V,1.575V 1.866GHz 8bit BGA
    512MB 512Mx8 1.283V,1.425V 64mA 1.45V,1.575V 1.866GHz 8bit BGA
  • 库   存:560
  • 起订量:1
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K4S643232H-UC60T00 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4S643232H-UC60T00
  • 厂牌:Samsung
  • 封装:SOP
  • 描述: 8MB 2Mx32 3V 150mA 3.6V 166MHz LVTTL 32bit SOP 贴片安装 22.22mm*10.16mm*1mm
    8MB 2Mx32 3V 150mA 3.6V 166MHz LVTTL 32bit SOP 贴片安装 22.22mm*10.16mm*1mm
  • 库   存:282
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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标准包装数量:1

K4B8G1646B-MYK0 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B8G1646B-MYK0
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:--
  • 描述: 1GB 512Mx16 16bit
    1GB 512Mx16 16bit
  • 库   存:217
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4E8E324EB-EGCF 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4E8E324EB-EGCF
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:FBGA-178
  • 描述: 1GB 256Mx32 1.2V,1.8V 1.866GHz LPDDR3 32bit FBGA-178 11.5mm(长度)*11mm(宽度)
    1GB 256Mx32 1.2V,1.8V 1.866GHz LPDDR3 32bit FBGA-178 11.5mm(长度)*11mm(宽度)
  • 库   存:80
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:0

M378A5244CB0-CTD 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:0

M474A1K43BB1-CTD 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:4
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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合计:0.00
标准包装数量:0

K4S641632H-UC75 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4S641632H-UC75
  • 厂牌:Samsung
  • 封装:SOP
  • 描述: 8MB 4Mx16 3V 135mA 3.6V 133MHz LVTTL 16bit SOP 贴片安装
    8MB 4Mx16 3V 135mA 3.6V 133MHz LVTTL 16bit SOP 贴片安装
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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合计:0.00
标准包装数量:1

M471A5244CB0-CTD 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4T1G164QJ-BCE7000 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4T1G164QJ-BCE7000
  • 厂牌:Samsung Semiconductor
  • 封装:FBGA
  • 描述: 1 Gb DDR2 J-Die D25nm
    1 Gb DDR2 J-Die D25nm
  • 库   存:0
  • 起订量:1280
  • 增   量:1280
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:1280

K4B4G1646E-BYMATCV 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B4G1646E-BYMATCV
  • 厂牌:Samsung Semiconductor
  • 封装:BGA
  • 描述: 512MB 256Mx16 1.283V,1.425V 131mA 1.45V,1.575V 1.866GHz 16bit BGA
    512MB 256Mx16 1.283V,1.425V 131mA 1.45V,1.575V 1.866GHz 16bit BGA
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