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BSS138BKW-BX-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138BKW-BX-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-323
  • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置,集射极击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):100mA,功率(Pd):150mW,
    晶体管类型:1个NPN-预偏置,集射极击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):100mA,功率(Pd):150mW,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-8工作日
  • 3000+ ¥0.065
  • 6000+ ¥0.064
  • 9000+ ¥0.0623
合计:¥195.00
标准包装数量:3000

HXY2318AI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY2318AI
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: ID:5A,VDSS:40V,RDON:30mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:5A,VDSS:40V,RDON:30mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-8工作日
  • 3000+ ¥0.1486
  • 6000+ ¥0.1461
  • 9000+ ¥0.1424
合计:¥445.80
标准包装数量:3000

ZXMN2F34FHTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN2F34FHTA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: ID:2.3A,VDSS:20V,RDON:48mR,VGS:12V,TYPE:N沟道,
    ID:2.3A,VDSS:20V,RDON:48mR,VGS:12V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-8工作日
  • 3000+ ¥0.1644
  • 6000+ ¥0.1617
  • 9000+ ¥0.1575
合计:¥493.20
标准包装数量:3000

HXY6005MI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY6005MI
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23-3L
  • 描述: ID:5A,VDSS:20V,RDON:35mR,TYPE:P沟道,
    ID:5A,VDSS:20V,RDON:35mR,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-8工作日
  • 3000+ ¥0.21
  • 6000+ ¥0.2065
  • 9000+ ¥0.2012
合计:¥630.00
标准包装数量:3000

HXY10N06SI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY10N06SI
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: ID:4.2A,VDSS:20V,RDON:48mR,VGS:12V,TYPE:P沟道,
    ID:4.2A,VDSS:20V,RDON:48mR,VGS:12V,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-8工作日
  • 1000+ ¥0.264
  • 2000+ ¥0.2596
  • 3000+ ¥0.253
合计:¥264.00
标准包装数量:1000

SI4178DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4178DY-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 芯片类型: 监视器电路,输出类型: 推挽,复位有效电平: 低电平有效,阈值电压: 2.63V,
    芯片类型: 监视器电路,输出类型: 推挽,复位有效电平: 低电平有效,阈值电压: 2.63V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 3000+ ¥0.348
  • 6000+ ¥0.3422
  • 9000+ ¥0.3335
合计:¥1,044.00
标准包装数量:3000

XP262N70023R-G-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: XP262N70023R-G-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-323
  • 描述: ID:60A,VDSS:20V,RDON:4mR,VGS:12V,TYPE:N沟道,
    ID:60A,VDSS:20V,RDON:4mR,VGS:12V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-8工作日
  • 3000+ ¥0.4104
  • 6000+ ¥0.4036
  • 9000+ ¥0.3933
合计:¥1,231.20
标准包装数量:3000

Si4532CDY-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: Si4532CDY-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: ID:7A,VDSS:30V,RDON:15mR,VGS:20V,TYPE:N+P沟道,
    ID:7A,VDSS:30V,RDON:15mR,VGS:20V,TYPE:N+P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 3000+ ¥0.5579
  • 6000+ ¥0.5486
  • 9000+ ¥0.5346
合计:¥1,673.70
标准包装数量:3000

SI4425BDY-T1-GE3-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4425BDY-T1-GE3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: ID:70A,VDSS:30V,RDON:6.5mR,VGS:20V,TYPE:P沟道,
    ID:70A,VDSS:30V,RDON:6.5mR,VGS:20V,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 3000+ ¥0.7752
  • 6000+ ¥0.7623
  • 9000+ ¥0.7429
合计:¥2,325.60
标准包装数量:3000

SI2323CDS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2323CDS-T1-BE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: ID:40A,VDSS:100V,RDON:20mR,TYPE:N沟道,
    ID:40A,VDSS:100V,RDON:20mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-8工作日
  • 3000+ ¥0.804
  • 6000+ ¥0.7906
  • 9000+ ¥0.7705
合计:¥2,412.00
标准包装数量:3000

SI4946BEY-T1-E3-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4946BEY-T1-E3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: ID:6.5A,VDSS:60V,RDON:32mR,VGS:20V,TYPE:N+N沟道,
    ID:6.5A,VDSS:60V,RDON:32mR,VGS:20V,TYPE:N+N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 3000+ ¥0.889
  • 6000+ ¥0.8741
  • 9000+ ¥0.8519
合计:¥2,667.00
标准包装数量:3000

DMP3011SFVW-7-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3011SFVW-7-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: ID:55A,VDSS:30V,RDON:8mR,TYPE:P沟道,
    ID:55A,VDSS:30V,RDON:8mR,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 5000+ ¥1.0032
  • 10000+ ¥0.9865
  • 15000+ ¥0.9614
合计:¥5,016.00
标准包装数量:5000

SI7308DN-T1-E3-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7308DN-T1-E3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: ID:15A,VDSS:60V,RDON:31mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:15A,VDSS:60V,RDON:31mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 5000+ ¥1.2376
  • 10000+ ¥1.2169
  • 15000+ ¥1.186
合计:¥6,188.00
标准包装数量:5000

ZXMN10A09KTC-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN10A09KTC-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: ID:70A,VDSS:30V,RDON:6.5mR,VGS:20V,TYPE:P沟道,
    ID:70A,VDSS:30V,RDON:6.5mR,VGS:20V,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥1.4022
  • 5000+ ¥1.3788
  • 7500+ ¥1.3438
合计:¥3,505.50
标准包装数量:2500

AON6413-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON6413-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: ID:70A,VDSS:30V,RDON:6mR,VGS:20V,TYPE:P沟道,
    ID:70A,VDSS:30V,RDON:6mR,VGS:20V,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 5000+ ¥1.4784
  • 10000+ ¥1.4538
  • 15000+ ¥1.4168
合计:¥7,392.00
标准包装数量:5000

FDP24AN06LA0-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDP24AN06LA0-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220C
  • 描述: ID:12A,VDSS:30V,RDON:10mR,TYPE:P沟道,
    ID:12A,VDSS:30V,RDON:10mR,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 100+ ¥1.938
  • 200+ ¥1.9057
  • 300+ ¥1.8572
合计:¥193.80
标准包装数量:50

SUD08P06-155L-BE3-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD08P06-155L-BE3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: ID:50A,VDSS:40V,RDON:10mR,TYPE:P沟道,
    ID:50A,VDSS:40V,RDON:10mR,TYPE:P沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥2.85
  • 5000+ ¥2.8025
  • 7500+ ¥2.7312
合计:¥7,125.00
标准包装数量:2500

PSMN025-100D,118 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PSMN025-100D,118
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: ID:30A,VDSS:100V,RDON:24mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:30A,VDSS:100V,RDON:24mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 2500+ ¥2.892
  • 5000+ ¥2.8438
  • 7500+ ¥2.7715
合计:¥7,230.00
标准包装数量:2500

IPB027N10N5ATMA1-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB027N10N5ATMA1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-263
  • 描述: ID:80A,VDSS:60V,RDON:5.8mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:80A,VDSS:60V,RDON:5.8mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 800+ ¥11.6508
  • 1600+ ¥11.4566
  • 2400+ ¥11.1653
合计:¥9,320.64
标准包装数量:800

NVBG040N120SC1-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVBG040N120SC1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-263-7L
  • 描述: ID:68A,VDSS:1200V,RDON:40mR,TYPE:N沟道,
    ID:68A,VDSS:1200V,RDON:40mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 800+ ¥45.6
  • 1600+ ¥44.84
  • 1600+ ¥44.84
合计:¥36,480.00
标准包装数量:800
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