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HYG011N04LS1TA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HYG011N04LS1TA
  • 厂牌:HUAYI/西安华羿微电子
  • 封装:--
  • 描述: 20V 1.2V 44nC@ 4.5V 1个N沟道 40V 900μΩ@ 10V,50A 320A 5.87nF
    20V 1.2V 44nC@ 4.5V 1个N沟道 40V 900μΩ@ 10V,50A 320A 5.87nF
  • 库   存:2240
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.2626
  • 10+ ¥3.6543
  • 30+ ¥3.1215
  • 100+ ¥2.7113
  • 600+ ¥2.4755
  • 1200+ ¥2.3576
合计:¥4.26
标准包装数量:1200

HYG016N04NR1B 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HYG016N04NR1B
  • 厂牌:HUAYI/西安华羿微电子
  • 封装:TO-263-2L
  • 描述: --
  • 库   存:7200
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 800+ ¥2.676
  • 1600+ ¥2.6314
  • 2400+ ¥2.5645
合计:¥2,140.80
标准包装数量:800

HYG025N06LS1B6 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HYG025N06LS1B6
  • 厂牌:HUAYI/西安华羿微电子
  • 封装:TO-263-6L
  • 描述: --
  • 库   存:6400
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 800+ ¥3.084
  • 1600+ ¥3.0326
  • 1600+ ¥3.0326
合计:¥2,467.20
标准包装数量:800
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