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HRN135S065P5 结型场效应管(JFET)

  • 型号: HRN135S065P5
  • 厂牌:HT/苏州华太电子
  • 封装:DFN
  • 描述: RugSiC是常关型SiC JFET 无栅氧及对应可靠性问题 短路耐量超 SiC VDMOS 4-5倍 开关损耗极低,650V, 17A, 135mΩ SiC Power RugSiC, DFN 5x6 封装
    RugSiC是常关型SiC JFET 无栅氧及对应可靠性问题 短路耐量超 SiC VDMOS 4-5倍 开关损耗极低,650V, 17A, 135mΩ SiC Power RugSiC, DFN 5x6 封装
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-4周
  • 10+ ¥13.0827
  • 100+ ¥12.8646
  • 1000+ ¥12.5376
  • 4000+ ¥9.8852
合计:¥130.83
标准包装数量:4000

HRO035S065P5 结型场效应管(JFET)

  • 型号: HRO035S065P5
  • 厂牌:HT/苏州华太电子
  • 封装:--
  • 描述: RugSiC是常关型SiC JFET 无栅氧及对应可靠性问题 短路耐量超 SiC VDMOS 4-5倍 开关损耗极低,650V, 80A, 35mΩ SiC Power RugSiC, TOLL 封装
    RugSiC是常关型SiC JFET 无栅氧及对应可靠性问题 短路耐量超 SiC VDMOS 4-5倍 开关损耗极低,650V, 80A, 35mΩ SiC Power RugSiC, TOLL 封装
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-4周
  • 10+ ¥43.609
  • 100+ ¥42.8821
  • 1000+ ¥41.7919
  • 1000+ ¥41.7919
合计:¥436.09
标准包装数量:1800
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