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SI2302-GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302-GM
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23
  • 描述: SI2302-GM是N沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及DC-DC转换。漏源电压20V,漏极电流2.3A,导通电阻约50mΩ@4.5V,采用SOT-23封装,适用于便携设备电源管理等场景。
    SI2302-GM是N沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及DC-DC转换。漏源电压20V,漏极电流2.3A,导通电阻约50mΩ@4.5V,采用SOT-23封装,适用于便携设备电源管理等场景。
  • 库   存:3000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.0517
  • 100+ ¥0.0411
  • 300+ ¥0.0345
  • 1000+ ¥0.0315
  • 3000+ ¥0.0278
  • 5000+ ¥0.027
合计:¥0.52
标准包装数量:3000

SI2301-GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301-GM
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23
  • 描述: SI2301-GM是P沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及电源路径管理。漏源电压20V,漏极电流2.2A,导通电阻约80mΩ@4.5V,采用SOT-23封装,适用于锂电池保护及便携设备电源切换等场景。
    SI2301-GM是P沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及电源路径管理。漏源电压20V,漏极电流2.2A,导通电阻约80mΩ@4.5V,采用SOT-23封装,适用于锂电池保护及便携设备电源切换等场景。
  • 库   存:3000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.0645
  • 100+ ¥0.0512
  • 300+ ¥0.043
  • 1000+ ¥0.0393
  • 3000+ ¥0.0347
  • 5000+ ¥0.0337
合计:¥0.65
标准包装数量:3000

AO3400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3400
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23
  • 描述: AO3400是N沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及电源管理。漏源电压30V,漏极电流5.8A,导通电阻约21mΩ@10V,采用SOT-23封装,适用于DC-DC转换及锂电池保护等场景。
    AO3400是N沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及电源管理。漏源电压30V,漏极电流5.8A,导通电阻约21mΩ@10V,采用SOT-23封装,适用于DC-DC转换及锂电池保护等场景。
  • 库   存:2880
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.1166
  • 100+ ¥0.0927
  • 300+ ¥0.0778
  • 1000+ ¥0.0711
  • 3000+ ¥0.0627
  • 5000+ ¥0.0609
合计:¥1.17
标准包装数量:3000

AO3401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3401
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23
  • 描述: AO3401是P沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及电源管理。漏源电压30V,漏极电流4.2A,导通电阻约50mΩ@10V,采用SOT-23封装,适用于锂电池保护及DC-DC转换等场景。
    AO3401是P沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及电源管理。漏源电压30V,漏极电流4.2A,导通电阻约50mΩ@10V,采用SOT-23封装,适用于锂电池保护及DC-DC转换等场景。
  • 库   存:2665
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.1316
  • 100+ ¥0.1046
  • 300+ ¥0.0878
  • 1000+ ¥0.0802
  • 3000+ ¥0.0708
  • 5000+ ¥0.0687
合计:¥1.32
标准包装数量:3000

8205A-GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 8205A-GM
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 8205A-GM是双N沟道增强型MOSFET,专用于锂电池保护电路。漏源电压20V,漏极电流6A,导通内阻约19mΩ,采用SOT-23-6封装,适用于单节锂电过充、过放保护等场景。
    8205A-GM是双N沟道增强型MOSFET,专用于锂电池保护电路。漏源电压20V,漏极电流6A,导通内阻约19mΩ,采用SOT-23-6封装,适用于单节锂电过充、过放保护等场景。
  • 库   存:3000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.1534
  • 100+ ¥0.1219
  • 300+ ¥0.1024
  • 1000+ ¥0.0936
  • 3000+ ¥0.0825
  • 5000+ ¥0.0801
合计:¥1.53
标准包装数量:3000

SI2310-GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2310-GM
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23
  • 描述: SI2310-GM是N沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及DC-DC转换。漏源电压20V,漏极电流5A,导通电阻28mΩ@4.5V,采用SOT-23封装,适用于电池保护和电源管理等场景。
    SI2310-GM是N沟道增强型MOSFET,用于低压负载开关及DC-DC转换。漏源电压20V,漏极电流5A,导通电阻28mΩ@4.5V,采用SOT-23封装,适用于电池保护和电源管理等场景。
  • 库   存:3000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.1635
  • 100+ ¥0.1299
  • 300+ ¥0.1091
  • 1000+ ¥0.0997
  • 3000+ ¥0.0879
  • 5000+ ¥0.0854
合计:¥1.64
标准包装数量:3000

SI2300 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2300
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 特点: 电子通道增强模式场效应晶体管VDS=20V,RDS(ON)=40m@VGS=4.5V,ID=5.0AVDS=20V,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V,ID=4.0A VDS=20VRDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A 机械数据 eCase风格:SOT-23模制塑料 安装位置:任何
    特点: 电子通道增强模式场效应晶体管VDS=20V,RDS(ON)=40m@VGS=4.5V,ID=5.0AVDS=20V,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V,ID=4.0A VDS=20VRDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A 机械数据 eCase风格:SOT-23模制塑料 安装位置:任何
  • 库   存:4800
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.0552
合计:¥165.60
标准包装数量:3000

AO9435 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO9435
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 9435采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。特点:●高功率和电流处理能力●无铅产品获得●表面安装包应用程序●PWM应用程序●负载开关●电源管理
    9435采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。特点:●高功率和电流处理能力●无铅产品获得●表面安装包应用程序●PWM应用程序●负载开关●电源管理
  • 库   存:9200
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.1536
合计:¥384.00
标准包装数量:2500

8205A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 8205A
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 共漏极N沟道增强型功率场效应管8205A具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。8205A适用于设计电池保护或低压开关的电路。特点:低导通电阻 低驱动电流 低栅极电压 2.5VVos=20VID=6A @ Ves=4.5V8205A:Ros(oN,<26mΩ (Typ.22mΩ) @ Ves=4.5V
    共漏极N沟道增强型功率场效应管8205A具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。8205A适用于设计电池保护或低压开关的电路。特点:低导通电阻 低驱动电流 低栅极电压 2.5VVos=20VID=6A @ Ves=4.5V8205A:Ros(oN,<26mΩ (Typ.22mΩ) @ Ves=4.5V
  • 库   存:24000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 5000+ ¥0.2736
合计:¥1,368.00
标准包装数量:5000

AO4435 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4435
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOP-8
  • 描述: AO4435采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和超低低门电荷和25V门额定值。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
    AO4435采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和超低低门电荷和25V门额定值。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
  • 库   存:38400
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.3708
合计:¥927.00
标准包装数量:2500

AO4606 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4606
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 4606使用先进的沟槽技术mosfet提供优秀的Rosow和低充电。互补的mosfet可用于形成一个电平移动的高侧开关,并用于许多其他应用程序。
    4606使用先进的沟槽技术mosfet提供优秀的Rosow和低充电。互补的mosfet可用于形成一个电平移动的高侧开关,并用于许多其他应用程序。
  • 库   存:87200
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.4128
合计:¥1,032.00
标准包装数量:2500

AO4410 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4410
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 18A特点 :先进的沟槽工艺技术。高密度电池设计为超低电阻。获得无铅产品。表面安装包 *RDS(开启)(m-ohm)最大值 13.5 @ VGS =10V,ID=10A 20 @ VGS =4.5V,ID=5A
    18A特点 :先进的沟槽工艺技术。高密度电池设计为超低电阻。获得无铅产品。表面安装包 *RDS(开启)(m-ohm)最大值 13.5 @ VGS =10V,ID=10A 20 @ VGS =4.5V,ID=5A
  • 库   存:48000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.522
合计:¥1,305.00
标准包装数量:2500

AO4407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4407
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 特点 :先进的沟槽工艺技术。高密度电池设计为超低电阻。获得无铅产品 VDS (V)=-30V ID=-12A RDS (ON)<1lm2 (VGs=-20V)*RDS (ON)<13m2 (VGs =-10V)RDS (ON)<38m2(VGs=-10V)
    特点 :先进的沟槽工艺技术。高密度电池设计为超低电阻。获得无铅产品 VDS (V)=-30V ID=-12A RDS (ON)<1lm2 (VGs=-20V)*RDS (ON)<13m2 (VGs =-10V)RDS (ON)<38m2(VGs=-10V)
  • 库   存:28800
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6408
合计:¥1,602.00
标准包装数量:2500

SI2302 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 特点: 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计SOT-23VDS= 20VRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYPRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP
    特点: 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计SOT-23VDS= 20VRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYPRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP
  • 库   存:1344
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.0816
合计:¥244.80
标准包装数量:3000

BR8205 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BR8205
  • 厂牌:GREEN MICRO/绿微
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 塑封封装 N 沟道双 MOS 管;采用先进的沟槽技术,提供较小的导通电阻 RDS(on),低栅极电荷,栅极工作电压低至 2.5V;适用于电池保护电路,开关电路。
    塑封封装 N 沟道双 MOS 管;采用先进的沟槽技术,提供较小的导通电阻 RDS(on),低栅极电荷,栅极工作电压低至 2.5V;适用于电池保护电路,开关电路。
  • 库   存:2400
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.0816
合计:¥446.40
标准包装数量:3000
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