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DME6010D 三极管(BJT)

  • 型号: DME6010D
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOP-7
  • 描述: 数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω;700Ω 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):27V 栅极电荷量(Qg):1.55nC 输入电容(Ciss):12.3pF 反向传输电容(Crss):1.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
    数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω;700Ω 耗散功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)):27V 栅极电荷量(Qg):1.55nC 输入电容(Ciss):12.3pF 反向传输电容(Crss):1.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.8889
合计:¥0.89
标准包装数量:4000

FTE03R20D 三极管(BJT)

  • 型号: FTE03R20D
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 数量:1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)):3Ω;6Ω 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):2.4V 栅极电荷量(Qg):5.15nC@10V 输入电容(Ciss):228.3pF;178.2pF 反向传输电容(Crss):3.82pF;6.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道+P沟道
    数量:1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)):3Ω;6Ω 耗散功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)):2.4V 栅极电荷量(Qg):5.15nC@10V 输入电容(Ciss):228.3pF;178.2pF 反向传输电容(Crss):3.82pF;6.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道+P沟道
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.4444
合计:¥9.44
标准包装数量:4000

AKP10M60R 三极管(BJT)

  • 型号: AKP10M60R
  • 厂牌:ARK Micro/成都方舟微电子
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):100mA 耗散功率(Pd):40W 阈值电压(Vgs(th)):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±20V
    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):100mA 耗散功率(Pd):40W 阈值电压(Vgs(th)):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±20V
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.4444
合计:¥15.56
标准包装数量:2000
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