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K4Z80325BC-HC16 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4Z80325BC-HC16
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:FBGA-180
  • 描述: 8G Bit GDDR6 SDRAM Chip
    8G Bit GDDR6 SDRAM Chip
  • 库   存:42560
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4B4G1646E-BCNB000 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4A4G165WF-BCTD 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4A4G165WF-BCTD
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:BGA
  • 描述: 512MB 256Mx16 1.2V 1.2V 2.666GHz POD 16bit BGA
    512MB 256Mx16 1.2V 1.2V 2.666GHz POD 16bit BGA
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4F8E3S4HD-GHCL 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:2359
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4U6E3S4AA-MGCL 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:2000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4B4G0846E-BYMA 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B4G0846E-BYMA
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:BGA
  • 描述: 512MB 512Mx8 1.283V,1.425V 64mA 1.45V,1.575V 1.866GHz 8bit BGA
    512MB 512Mx8 1.283V,1.425V 64mA 1.45V,1.575V 1.866GHz 8bit BGA
  • 库   存:560
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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K4B2G1646F-BCK0 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B2G1646F-BCK0
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:BGA
  • 描述: 256MB 128Mx16 1.425V 118mA 1.575V 1.6GHz 16bit BGA
    256MB 128Mx16 1.425V 118mA 1.575V 1.6GHz 16bit BGA
  • 库   存:409
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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K4B4G1646D-BCK0 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B4G1646D-BCK0
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:BGA
  • 描述: 512MB 256Mx16 1.425V 118mA 1.575V 1.6GHz SSTL_1.5 16bit BGA 贴片安装 13.3mm*7.5mm*1.1mm
    512MB 256Mx16 1.425V 118mA 1.575V 1.6GHz SSTL_1.5 16bit BGA 贴片安装 13.3mm*7.5mm*1.1mm
  • 库   存:220
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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K4B8G1646B-MYK0 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4B8G1646B-MYK0
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:--
  • 描述: 1GB 512Mx16 16bit
    1GB 512Mx16 16bit
  • 库   存:217
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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K4A4G165WF-BCWE 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4A4G165WF-BCWE
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:FBGA-96
  • 描述: 512MB 256Mx16 3.2GHz POD 16bit FBGA-96
    512MB 256Mx16 3.2GHz POD 16bit FBGA-96
  • 库   存:158
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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K3QF1F10DM-AGCE 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:72
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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K4G41325FE-HC28 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4G41325FE-HC28
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:BGA
  • 描述: 512MB 128Mx32 1.3095V,1.455V 1.3905V,1.545V 1.75GHz POD_135,POD_15 32bit BGA
    512MB 128Mx32 1.3095V,1.455V 1.3905V,1.545V 1.75GHz POD_135,POD_15 32bit BGA
  • 库   存:49
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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K4A4G085WE-BCPB 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4A4G085WE-BCPB
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:FBGA-78
  • 描述: 512MB 512Mx8 1.14V 84mA 1.26V 2.133GHz 8bit FBGA-78
    512MB 512Mx8 1.14V 84mA 1.26V 2.133GHz 8bit FBGA-78
  • 库   存:41
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4D263238F-QC50 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4D263238F-QC50
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:QFP
  • 描述: 16MB 4Mx32 2.375V 480mA 2.625V 400MHz SSTL_2 32bit QFP
    16MB 4Mx32 2.375V 480mA 2.625V 400MHz SSTL_2 32bit QFP
  • 库   存:25
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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标准包装数量:0

M471A5244CB0-CWE 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: M471A5244CB0-CWE
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:--
  • 描述: DIMM,4GB,3200,1RX16,8G,DDR4,NS
    DIMM,4GB,3200,1RX16,8G,DDR4,NS
  • 库   存:21
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4T1G164QF-BCE6 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4T1G164QF-BCE6
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:BGA
  • 描述: 128MB 64Mx16 1.7V 95mA 1.9V 667MHz SSTL_1.8 16bit BGA
    128MB 64Mx16 1.7V 95mA 1.9V 667MHz SSTL_1.8 16bit BGA
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

M474A1K43BB1-CTD 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:4
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:0

M471A2K43DB1-CWE 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
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标准包装数量:0

K4H511638F-LCB3 动态随机存储器(DRAM)

  • 型号: K4H511638F-LCB3
  • 厂牌:SAMSUNG
  • 封装:SOP
  • 描述: 64MB 32Mx16 2.3V 185mA 2.7V 333MHz SSTL_2 16bit SOP 贴片安装
    64MB 32Mx16 2.3V 185mA 2.7V 333MHz SSTL_2 16bit SOP 贴片安装
  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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标准包装数量:0

M378A2K43DB1-CTD 动态随机存储器(DRAM)

  • 库   存:1
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