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IGW40N60TP-HXY IGBT单管

  • 型号: IGW40N60TP-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥8.892
  • 60+ ¥8.7438
  • 90+ ¥8.5215
  • 120+ ¥8.3733
合计:¥266.76
标准包装数量:30

IGW50N60TP-HXY IGBT单管

  • 型号: IGW50N60TP-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥10.044
  • 60+ ¥9.8766
  • 90+ ¥9.6255
  • 120+ ¥9.4581
合计:¥301.32
标准包装数量:30

YGW50N65F1A IGBT单管

  • 型号: YGW50N65F1A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥10.8
  • 60+ ¥10.62
  • 90+ ¥10.35
  • 120+ ¥10.17
合计:¥324.00
标准包装数量:30

FGH40T65SQD-F155-HXY IGBT单管

  • 型号: FGH40T65SQD-F155-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥11.16
  • 60+ ¥10.974
  • 90+ ¥10.695
  • 120+ ¥10.509
合计:¥334.80
标准包装数量:30

RGTH00TS65GC11-HXY IGBT单管

  • 型号: RGTH00TS65GC11-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥14.82
  • 60+ ¥14.573
  • 90+ ¥14.2025
  • 120+ ¥13.9555
合计:¥444.60
标准包装数量:30

NGTB35N65FL2WG-HXY IGBT单管

  • 型号: NGTB35N65FL2WG-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥14.82
  • 60+ ¥14.573
  • 90+ ¥14.2025
  • 120+ ¥13.9555
合计:¥444.60
标准包装数量:30

IGW50N65H5AXKSA1-HXY IGBT单管

  • 型号: IGW50N65H5AXKSA1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥15.96
  • 60+ ¥15.694
  • 90+ ¥15.295
  • 120+ ¥15.029
合计:¥478.80
标准包装数量:30

AOK40B65HQ2 IGBT单管

  • 型号: AOK40B65HQ2
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥17.1
  • 60+ ¥16.815
  • 90+ ¥16.3875
  • 120+ ¥16.1025
合计:¥513.00
标准包装数量:30

SPT40N120F1C IGBT单管

  • 型号: SPT40N120F1C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
  • 库   存:359970
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥18
  • 60+ ¥17.7
  • 90+ ¥17.25
  • 120+ ¥16.95
合计:¥540.00
标准包装数量:30

IXYH40N65C3H1-HXY IGBT单管

  • 型号: IXYH40N65C3H1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥19.38
  • 60+ ¥19.057
  • 90+ ¥18.5725
  • 120+ ¥18.2495
合计:¥581.40
标准包装数量:30

RGS80TS65HRC11-HXY IGBT单管

  • 型号: RGS80TS65HRC11-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥21.66
  • 60+ ¥21.299
  • 90+ ¥20.7575
  • 120+ ¥20.3965
合计:¥649.80
标准包装数量:30

APT45GR65B-HXY IGBT单管

  • 型号: APT45GR65B-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥22.8
  • 60+ ¥22.42
  • 90+ ¥21.85
  • 120+ ¥21.47
合计:¥684.00
标准包装数量:30

IRGP4263D-EPBF-HXY IGBT单管

  • 型号: IRGP4263D-EPBF-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥23.94
  • 60+ ¥23.541
  • 90+ ¥22.9425
  • 120+ ¥22.5435
合计:¥718.20
标准包装数量:30

APT70GR65B-HXY IGBT单管

  • 型号: APT70GR65B-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥30.78
  • 60+ ¥30.267
  • 90+ ¥29.4975
  • 120+ ¥28.9845
合计:¥923.40
标准包装数量:30

IXYH100N65C3-HXY IGBT单管

  • 型号: IXYH100N65C3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥31.92
  • 60+ ¥31.388
  • 90+ ¥30.59
  • 120+ ¥30.058
合计:¥957.60
标准包装数量:30

IXYH40N120C3-HXY IGBT单管

  • 型号: IXYH40N120C3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥36.48
  • 60+ ¥35.872
  • 90+ ¥34.96
  • 120+ ¥34.352
合计:¥1,094.40
标准包装数量:30

IXYH40N120B3D1-HXY IGBT单管

  • 型号: IXYH40N120B3D1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥39.9
  • 60+ ¥39.235
  • 90+ ¥38.2375
  • 120+ ¥37.5725
合计:¥1,197.00
标准包装数量:30

MSG160T65HLC1 IGBT单管

  • 型号: MSG160T65HLC1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,
    集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥45.6
  • 60+ ¥44.84
  • 90+ ¥43.7
  • 120+ ¥42.94
合计:¥1,368.00
标准包装数量:30

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY IGBT单管

  • 型号: IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):140A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V,二极管正向电流(IF):140A,正向压降(Vf):2.01V,
    集电极电流(Ic):140A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V,二极管正向电流(IF):140A,正向压降(Vf):2.01V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥60
  • 60+ ¥59
  • 90+ ¥57.5
  • 120+ ¥56.5
合计:¥1,800.00
标准包装数量:30

IXXX160N65C4-HXY IGBT单管

  • 型号: IXXX160N65C4-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,
    集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥62.7
  • 60+ ¥61.655
  • 90+ ¥60.0875
  • 90+ ¥60.0875
合计:¥1,881.00
标准包装数量:30
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