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英飞凌发布40V+OptiMOS+T2+MOSFET汽车电源

英飞凌发布40V+OptiMOS+T2+MOSFET汽车电源
来源:电子工程专辑 时间:2011-12-09

英飞凌科技股份有限公司宣布推出采用TO无铅封装的汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS T2 MOSFET结合创新的封装技术及英飞凌的薄晶圆制程技术,拥有同级产品规格。英飞凌采用扩散焊接黏晶技术所生产的无铅封装包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由于封装几何方面对于晶粒焊垫厚度与芯片尺寸的特殊要求,现今扩散焊接粘晶技术仅适用于上述三种英飞凌所提供的封装形式,OptiMOS T2系列产品的量产已准备就绪。

英飞凌的MOSFET新系列产品超越了现行欧盟RoHS对于含铅焊锡封装的规范。更严格的ELV RoHS标准可能将于2014年施行,届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装MOSFET,英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。

英飞凌汽车电子事业处标准电源产品副总裁暨总经理Frank Schwertlein表示:“英飞凌在功率半导体和相关封装技术方面皆为业界之首。而今,英飞凌再度成为全球率先推出无铅封装之芯片供货商,提供汽车产业客户因应未来,符合RoHS且环保之MOSFET,协助客户开发节能的『绿色』产品。”

英飞凌专利的无铅黏晶(die attach)技术采用扩散焊接,可提升电性与散热表现、可制造性以及品质。此黏晶技术搭配英飞凌的薄晶圆制程(60μm,标准为175μm),为功率半导体提供多项改良:

●环保的技术:不使用铅及其它有毒物质。

●扩散焊接黏晶技术结合薄晶圆制程:大幅降低封装的导通电阻值 RDS(on)

●热阻 (RthJC) 改善率高达 40- 50%:传统软铅焊料的热传导能力不佳,阻碍了MOSFET 接面之散热。

●其它优点还包括:由于没有焊锡流迹 (Bleed-out) 及芯片倾斜 (Chip tiltness)的问题,以及更收敛的RDS(on)与RthJC分布,提供了更佳的可制造性。降低产品内的机电应力,也提升了产品可靠性和品质。

从新款OptiMOS T2 40V(如:IPB160N04S4-02D,160A)的规格得知,其RDS(on)仅2.0mΩ且RthJC仅0.9K/W。相较于使用标准铅焊接的同类产品,其导通电阻降低了约20% 。此外,英飞凌专利的扩散焊接技术可减少「芯片至导线架」的热阻抗,让新型OptiMOS T2产品拥有同级产品中效能。

上市时间

OtpiMOS T2为野界率先採用TO无铅封裝的车用电源MOSFET,系列产品包括IPB160N04S4-02D(160A, TO-263封装)、 IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。