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IBM帮助美光生产采用3D制程的商用芯片

IBM帮助美光生产采用3D制程的商用芯片
来源:人民网 时间:2011-12-05

IBM和美光公司近日宣布,美光公司将开始生产一款新的存储芯片—采用3D制程的商用芯片。这一芯片将使用IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技术(through-silicon vias; TSVs)。

IBM在一份声明中称,IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技术能使美光的混合式记忆体立方体(HMC)的传输速度达到当前技术的15倍。

IBM将在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技术(TSV)。

美光的混合式记忆体立方体的一部分将在IBM位于纽约的晶圆厂进行生产,使用该公司32纳米high-K金属闸极硅晶技术制造。

美光的混合式记忆体立方为DRAM封装的一项突破,它的基本理念是将芯片层层叠起,较当前技术用到更多且速度更快的数据通路。 其初的原型能以每秒128GB的速率执行,未来技术成熟后速率会更高,而目前的记忆体芯片的速率为12.8GB/s。此外,HMC使用的电力也减少了70%。