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Energy Micro的Cortex-M4 MCU性能受益于台积电低漏电流技术

Energy Micro的Cortex-M4 MCU性能受益于台积电低漏电流技术
来源:21ic 时间:2013-05-27

21ic讯 Energy Micro宣布其一直与台积电紧密合作来验证台积电的eLL(超低漏电流工艺)技术给其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器带来的好处。和台积电的密切配合,使Energy Micro可以很早接触这一的工业技术,从而进一步增强其MCU产品性能。

台积电的eLL超低漏电流工艺是其嵌入式闪存(EmbFlash)技术的改良版,相比之前的解决方案,该工艺带来更低的功耗-待机电流降低50-70%,运行电流降低30%。

Energy Micro的全球销售副总裁Andreas Koller说:“EFM32 MCU产品的低功耗性能使其从竞争产品中脱颖而出。过渡到带浮点单元的ARM Cortex-M4 这一32位的DSP CPU 内核是很自然的举动,同时我们的低功耗Gecko技术也受益于台积电有着好低功耗性能的工艺。”

台积电欧洲总裁Maria Marced说:“Energy Micro的低功耗MCU产品有着出色的低功耗特性和产品性能。Gecko技术与台积电的超低漏电流嵌入式闪存处理工艺的结合,使得Energy Micro的产品的功耗显著降低,从而进一步增强Energy Micro的竞争地位。”