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我国半导体激光器芯片技术研究获突破

我国半导体激光器芯片技术研究获突破
来源:吉林日报 时间:2013-01-21

近日,由中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室大功率 半导体激光器 课题组佟存柱研究员承担的,中科院知识创新工程领域前沿项目“大功率高亮度光子晶体激光器及列阵”取得了阶段性进展,他们通过布拉格反射波导结构,成功地将半导体激光快轴(垂直)发散角从40度降低到7.5度,慢轴(水平)发散角7.2度,实现近圆形光束出光。

一直以来,半导体激光器的缺点之一便是它较大的发散角以及椭圆形出光光斑,这导致较差的光束质量。而光束质量反映的是激光的可汇聚性,直接影响到实际应用。

研究小组采用双边横向布拉格反射波导结构,该结构通过光子禁带原理进行光学导波,所限制模式为光学缺陷模式,可以有效压缩激光的远场发散角。该类器件结构不仅可以用于量子阱激光器,还可以拓展到不同波长、不同增益介质的半导体激光器,如量子点、量子级联激光器等。该器件核心结构已经申请国家发明专利4项,目前,研究人员正在抓紧时间优化工艺,进一步提高器件的性能,努力实现实用化。