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IEK:Memory Cube将启动3D IC移动应用需求

IEK:Memory Cube将启动3D IC移动应用需求
来源:精实新闻 时间:2013-01-18
IEK今(16日)举办2013年 IC T产业关键议题论坛,IEK产业经济与趋势研究中心副主任钟俊元(见附图)指出,今年的重要趋势之一,就是 Memory Cube (记忆体的同质堆叠),将启动 3D IC行动应用的市场需求。而IEK也预估,台积电将于2013年推出3D IC堆叠式TSV技术服务。
钟俊元分析,国际晶片大厂如Intel、Qualcomm、Samsung、台积电(2330)及工研院电光所,都已积极投入3D-IC相关技术开发,以满足下一代高阶智慧手持装置轻薄短小、高效能、低功耗等需求。而台积电已提出2.5D IC结构的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)整合生产技术,可提供一站式购足服务;另外,联电(2303)也与下游封测厂共组一种开放式生态模式(Open Ecosystem Model)发展3D IC技术。DRAM(Wide I/O)3D堆叠技术、多核心处理器与DRAM控制器之架构整合技术将日趋成熟,例如Wide I/O DRAM TSV生产技术等,可见众家半导体大厂都看好这个商机。
他分析,应用处理器内的多核CPU与多核GPU,虽可大幅提升运算效能与图形处理能力,但伴随而来的是需要更大的记忆体容量来储存,而应用处理器与记忆体之间也需要更高的资料存取频宽。若Mobile DRAM频宽无法提升,则将成为应用处理器性能发展的限制,未来设计出大容量、低耗能并具备高存取频宽介面的记忆体,已成为技术发展重要的选项。

钟俊元进一步观察,事实上,2010年3D IC就已应用于CIS、MEMS Sensor元件量产,2012年已采2.5D IC 28nm制程FPGA产品量产;如今Samsung与Micron力推应用于云端伺服器之记忆体同质3D IC堆叠「Memory Cube」、应用处理器与记忆体3D IC堆叠等,可能于2013年进入量产;另逻辑GPU/CPU与Memory的2.5D IC整合,则可能将于2014年启动。
他引述IEK根据应用处理器与记忆体之间频宽的需求分析指出,2012年主流规格LPDDR2传输频宽8.5GB/s,预估2013年传输频宽须达12.8GB/s,2015年下世代Wide I/O传输频宽须达25.8GB/s。未来若无法满足此一高存取频宽要求,将直接影响到应用处理器与记忆体之间资料传输速度;也因此IEK预估,2013年LPDDR3 Wide I/O传输频宽需求殷切,亟待3D IC异质整合技术,其中TSV将是重要的技术主流,而智慧型手机也将成为TSV终端应用中需求畅旺的一个族群。
他表示,根据IEK预估的数据,2013年全球采用3D TSV技术的晶圆片数(以12寸约当晶圆计)达135万片,2015年达395万片,2017年则将成长至960万片,其中2017年3D TSV技术应用产品中,智慧手机占43%、Tablet占13%、云端伺服器约6%。









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