三星14nm工艺移动芯片测试成功

来源：OFweek电子工程网
时间：2012-12-24

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三星宣布与 ARM 签署了一项与 14nm FinFET 工艺技术和 IP 库相关的合作协议，并且还成功研发了一些基于 14nm FinFET 工艺的测试处理器芯片。三星称 14nm FinFET 技术是未来发展的方向，未来的 Exynos 处理器将拥有 PC 式低功耗性能。此外，三星还与合作伙伴共同完成了ARM Cortex-A7 处理器、ARM big.LITTLE 配置和 SRAM 芯片的研发测试工作。

三星表示，相比目前的32/28nm HKMG工艺，14nm FinFET工艺会进一步大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗。在未来的 Exynos 处理器中，三星将采用 ARM big.LITTLE 处理技术和 14nm 工艺制程，这意味着三星未来的处理器将更加高效。

为了方便客户，三星还发布了工艺设计包 PDK，允许他们开始基于 14nm FinFET 测试芯片设计模型或者展开其他产品设计工作。