3D NAND Flash 三星/海力士已启程

随着传统的半导体制造技术在 NAND flash领域即将达到极限， 存储器 芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术以提高产能。

根据IHS的报告显示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快闪存储器芯片将采用3D技术，而在2013年这一比例仅为1%。2014年采用3D技术的快闪存储器芯片比例将增至5.2%，2015年则将飙升至30.2%。到了2016年这一比例将扩大至49.8%，几乎占整个快闪存储器市场的一半。

“普遍认为采用传统平面半导体技术的NAND flash再经过一代或两代就将达到理论极限，”IHS内存和存储高级分析师Dee Robinson表示。“随着平面印刷技术进一步萎缩，NAND的性能和可靠性将仅适合极低成本的消费性产品。在未来几年，由于NAND厂商被迫开发更高密度和更低价格的产品，因此将会迅速向3D制造转移。”

三星 和SK 海力士 这两个全球的存储器厂商在8月份的加州圣克拉拉快闪存储器峰会上发布了他们的3D NAND创新成果。

三星表示该公司名为V-NAND的3D快闪存储器产品已经在第二季度开始商用化生产。其终端产品将会是480千兆字节以及960千兆字节的V-NAND固态硬盘，初期目标是企业市场。V-NAND将比1 x纳米NAND更可靠、功耗更低，并且顺序写入和随机写入的性能更高。

IHS预计基于V-NAND的固态硬盘和基于传统快闪存储器的固态硬盘的价格将会有较大差距，这也就是三星将该产品的目标市场首先定位为企业市场的原因。

三星的竞争对手SK海力士也在计划生产3D NAND，其初期的3D产品将类似于三星的V-NAND，容量达到128千兆字节。不过这只是SK海力士双向策略中的一部分，该公司同时还在开发16纳米产品。

随着三星和海力士SK已经开始3D NAND开发，投入生产的时间比预期更快，且进展速度也大大快于业界期望。

尽管如此，其他存储器厂商仍然决定至少再生产一代平面NAND，将3D计划日程推后。这些厂商包括SanDisk、美光和日本东芝。

不过，初期3D NAND生产将是有限的，并且由于产品多层结构的原因，故障分析比较困难。IHS认为，高性能产品在企业应用中的初期增长将有助于厂商获利以及工艺成熟。尽管如此，3D技术要对整个行业增长做出显著贡献还有待时日。

无论如何，NAND的3D竞赛已经打响，尚未对这一技术变革做出响应的NAND厂商将会感受到压力。