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28纳米良率增 联电获联发科大单

来源:工商时报
时间:2013-09-25

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晶圆代工二哥 联电 28纳米 良率获得重大突破,在陆续解决光罩、材料等问题,近期表现可用“势如破竹”形容。据了解,上半年联电28纳米良率已快速拉升到70%以上,部份晶圆良率甚至超过80%,获联发科青睐、扩大下单。

联电先前推估本季晶圆出货将季增3~4%,法人推估9月营收应可维持百亿元以上,由于28纳米良率拉升后有助于提高毛利率,第3季营业利益率将达6~9%,远优于第2季的3.6%,单季本业获利有机会超过20亿元,较第2季成长接近1倍。

看好联电营运表现明显转佳,推升联电昨日股价上涨0.5元,终场以12.6元作收,成交量达123,277张,其中外资买超27,397张,三大法人买超34,272张。

去年底,联电开始建置28纳米产能,虽已敲下联发科、高通28纳米代工订单,但上半年良率一直处于50%左右,无法突破,所以良率早已拉高到90%以上的台积电,及第2季良率已拉升到70%以上的格罗方德(GlobalFoundries)等2家业者,分食手机芯片28纳米订单,联电则是吃不到。

不过,在联发科协助调整参数后,联电近期28纳米良率出现大跃进,并陆续解决光罩及材料等问题。据设备业者指出,联电8月之后28纳米良率已经明显拉升,近期不仅有效突破70%并维持稳定,批次(golden lot)良率还看到80%以上,等于已可进入真正放量投片阶段,并提前在9月开始小幅挹注营收。

法人指出,联电28纳米仍以氮氧化矽(PolySiON)制程为主,良率大幅拉高后,已有助于争取到低价手机芯片代工订单,如联发科已开始扩大对联电28纳米制程投片。至于联电28纳米高介电金属闸极(HKMG)制程虽然良率仍然不佳,不过也有不错的进展,明年初应可顺利进入量产阶段,届时可望拿下高通代工订单。

除28纳米制程传出良率拉升及接获联发科大单好消息外,联电40纳米接单仍然强劲。虽手机芯片厂有意将WiFi芯片集成在手机基频芯片当中,但因集成速度未如预期在下半年发生,让联电第3季802.11ac及802.11n等无线网络芯片订单续强,也有效支撑40纳米及12寸厂产能利用率在高档。















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