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台积电20纳米 提前一季投片

来源:工商时报
时间:2013-07-11

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可程序逻辑闸阵列(FPGA)大厂赛灵思(Xilinx)昨(9)日宣布,已经开始在 台积电 投片业界首款 20纳米 可编程逻辑元件(PLD),以及业界首款20纳米全编程(All Programmable)元件。业界指出,赛灵思宣布进入20纳米世代,代表台积电20纳米已提前一季进入投片阶段。

台积电20纳米已经研发完成,正在积极建置20纳米生产线,包括竹科超大型晶圆厂(GigaFab)Fab12第6期,以及南科Fab14第5期及第6期。台积电原本预计今年第4季才会开始投片,明年首季进入量产阶段,但赛灵思提前在第3季宣布20纳米芯片开始投片,代表台积电20纳米投产进度已较原本规画提前一季进行。

赛灵思宣布,20纳米PLD芯片及全编程元件已经开始在台积电投片,同时,赛灵思亦着手建置业界个特殊应用芯片(ASIC)等级可编程架构UltraScale,将由28纳米快速转进20纳米世代。同时,开发的UltraScale架构可将20纳米平面制程,扩展至16纳米及更先进的鳍式场效晶体管(FinFET)技术,并可从单芯片进展到3D IC。

业界人士认为,在赛灵思的协力合作下,台积电今年底应该可开始进行16纳米试产,成功将20纳米微缩至16纳米的时间提前一年,亦即2015年就会如期进入16纳米FinFET量产,台积电与英特尔间技术时间差距,将因此缩短到1年,如此一来就不必再怕英特尔抢单。









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