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宏微科技:打破垄断+成功研发IGBT和FRED芯片

宏微科技:打破垄断+成功研发IGBT和FRED芯片
来源:电子工程世界 时间:2012-03-05

 

2006年入驻常州高新区三晶科技孵化器的江苏宏微科技有限公司,是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产的专家组成。公司以设计研发生产和销售新一代电力电子分立器件及模块为主,提供高效节能电力电子装置的设计制造及系统的解决方案。

由江苏宏微科技有限公司自主研发的大功率超快速软恢复外延型二极管(FRED)芯片和1200V/1700V大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片,于去年顺利通过有关专家组鉴定。专家组一致认为,该公司自主研制的非穿通型(NPT)IGBT芯片和FRED芯片,主要性能指标均达到国际先进水平,其中1200V IGBT主要性能指标超过了国际同类产品的先进水平。标志着我国新型电力半导体器件从此走上了产业化道路,开始追赶并逐渐超越水平的新里程。

IGBT和FRED器件是电力电子装置和系统中的CPU,被国际电力电子行业公认为电力电子技术第三次革命代表性的器件。新型电力电子技术是改造传统工业促进新型高新技术产业发展的关键技术之一,对节能机电一体化减少环境污染节省原材料降低生产成本和提高生产效率起着十分重要的作用,可广泛应用于风力发电系统太阳能电源航空航天等多个领域。

近年来,中国电力电子器件的市场一直保持快速增长的势头。2011年预计市场销售收入总额将突破1680亿元,年均增长率将达到20.1%。在分立器件中,大功率高频新型电力半导体器件IGBTVDMOS和FRED是增长快的器件,年增长速率将达到25%左右。

据了解,作为国家重点高新技术企业国家高技术产业化示范基地国家IGBT和FRED标准起草单位的宏微科技,自2006年成立以来,公司已承担国家重大专项 国家科技部“十一五”重点支撑项目国家863项目等9项国家项目。该公司已形成芯片模块整机产业链,开发了芯片产品50余种模块产品200余种模块化电源产品20余种。公司自主研发生产的IGBTVDMOS和FRED电力半导体器件及模块产品,大部分填补了国内产业化空白,广泛应用于工业医学交通照明新能源等领域。目前,宏微科技的IGBT和FRED产品已被国内外知名企业广泛使用,部分产品国内市场占有率已超过50%,产品销售网络已覆盖全国,同时进入亚洲欧洲北美等地区,拥有客户500多家,累计销售收入已超亿元。并拥有18项国家专利3项国际专利。