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东芝联手SanDisk开发全球小128Gb闪存芯片

来源:电子工程世界
时间:2012-02-24

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北京时间2月23日晚间消息,东芝周四表示,该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。

该闪存芯片采用19nm新工艺,大小为170平方毫米,比一枚普通硬币还小。

该闪存芯片运用3-bit-per-cell存储技术。该存储技术虽然比2-bits-per-cell存储技术更为高效,但存在稳定性不强的问题。这也意味着该闪存芯片将首先用于记忆棒和记忆卡。

据悉,作为苹果等公司主要供应商的东芝将于本月开始生产这种闪存芯片。

随着芯片生产商争相追逐更小的芯片产品,他们在生产设备上的投入将大大增加。

 

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