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瑞萨开发出在低损耗碳化硅(SiC)功率器件RJS6005TDPP

瑞萨开发出在低损耗碳化硅(SiC)功率器件RJS6005TDPP
来源:华强电子网 时间:2012-02-08

 

的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称“瑞萨”)宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开发的技术,有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅(Si)的现有功率器件相比,其功耗大约降低了40%。

 

近,为了促进环境保护,很多客户对高效能电源电路的需求日益增长。空调、通信基站、PC服务器和太阳能阵列等使用电源转换电路或逆变电路的产品,对更高效的电源转换有着特别强劲的需求。因此,这些电源转换电路中所用的二极管需要提供更快的转换速度,并可以低压工作。于是,瑞萨开发了这款全新SiC SBD来满足上述需求。

 

RJS6005TDPP的主要特性:

 

更快的转换速度,其损耗较之现有产品降低了40% 全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢复时间(注2)为15纳秒(标准值:测量条件IF = 15 A,di/dt = 300 A/µs),与现有瑞萨硅电子产品相比,其速度快了大约40%。这可以实现更快的转换速度,与瑞萨硅基产品相比降低了大约40%的功耗。

 

此外,当温度升高时,反向恢复时间不会降低,从而在高温环境下工作时可实现始终如一的低转换损耗。

 

(2) 低压工作这款全新SiC-SBD的额定电压(正向降压,VF)仅1.5伏(V),低于现有的硅快速触发二极管产品的额定电压。此外,该SiC-SBD的温度依赖性较小,可确保获得稳定的正向电压——即使在高温条件下。这意味着可使用更紧凑的散热设计,以降低成本,并减小产品体积。

 

这款全新RJS6005TDPP SiC-SBD应用相当于工业标准的TO-220封装,并可实现引脚兼容。这意味着RJS6005TDPP SiC SBD可轻松地用于替代现有印刷电路板上传统的硅二极管。

 

瑞萨电子全新功率器件的产品阵容颇为强大,电流从3A至30 A不等,额定峰值电压为600 V,这些功率器件专用于满足空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统对高效能的需求,同时,计划推出额定峰值电压为1200 V的产品系列。瑞萨努力为客户提供结合MCU和模拟及功率器件的整体解决方案,矢志成为的功率器件供应商。瑞萨计划增强套件解决方案和复合半导体器件,以全新高压SiC-SBD功率器件为核心,并辅以外围电源控制IC、高性能IGBT、高压超结MOSFET和光电耦合器。

 

 

 (注1)碳化硅(SiC):这种材料在热导率、允许的工作温度、辐射暴露及绝缘击穿场强等特性上优于硅,具有用于低损耗功率器件的巨大潜力。(注2)反向恢复时间:当二极管在规定的正向电流已流过后从导通状态转换至关闭状态,由于在结中积累了少量载流子,因而将存在反向电流。反向恢复时间表示在切换至关闭状态后