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台积电将于2013年初推出3D+IC组装服务

来源:电子工程专辑
时间:2012-02-07

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台积电(TSMC)欧洲公司总裁Maria Marced透露,该公司计划在2013年初推出3D IC组装服务。这项技术初在台积电内部被命名为COWOS,是'chip on wafer on substrate'的缩写。

Marced表示,台积电花费了一年的时间来取得所需的物理设计工具和EDA的支持,以便让客户能运用其COWOS技术进行设计。

台积电正与赛灵思(Xilinx)等公司合作,使用的硅中介层(silicon interposer)来整合多颗晶粒。这些“批”3D芯片客户可以依照自己的选择,决定是否继续和外部的封装伙伴合作。然而,当台积电开始提供3D IC服务后,许多客户的3D组装作业便会在台积电内部完成。

一些移动应用处理器公司,包括高通(Qualcomm)和ST-Ericsson等,都对3D IC封装相当感兴趣,特别是在使用wideI/O DRAM部份,因为普遍预期这将能缓解频宽问题并降低能耗。

Marced表示,在一颗元件上整合多颗晶粒的概念,早已应用在过去针对移动应用的多芯片封装(MCP)存储器中,但未来这种整合的芯片制造方法,很可能会改变逻辑积IC和SoC设计的性质。设计师将能运用截然不同的化制程,并结合矽穿孔(TSV)等制造技术,开发出各种不同功能的芯片。台积电已率先针对3DIC堆叠开发了TSV技术。

Marced指出,未来毋须使用先进的逻辑制程,就可望在应用处理器中整合大量的非挥发性记忆体或wide I/O DRAM。

“我们相信,有一种方法能够实现更好的性能,同时节省功耗和减小芯片尺寸,这就是先进封装技术,”Marced说。开发人员可以在采用28或20nm工艺的应用处理器上,堆叠采用40nm技术的嵌入式闪存。

目前尚不清楚台积电是否准备组装来自不同供应商的晶粒,如将来自专业存储器制造商的存储器晶粒在其3D IC组装服务中进行整合。

3D IC技术将为芯片组装领域带来的变动,也可能让台积电在未来提供一些可应用在3D堆叠中的标准晶粒,并成为该公司IP产品系列的一部份。“确实有可能再发展一些IP,不过,我们对于可能会和客户产生冲突的部份都非常谨慎。我们的一贯立场,就是作为一家纯晶圆代工供应商,”Marced说。

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