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​国外电子元器件的发展历程
来源:网络整理 时间:2022-01-13

国外电子元器件的发展始于1906年,也就是十九世纪末,由一名美国人,德福雷斯特发明了电子元器件,叫做真空三极管。后来人们都期待制造出一种固体形态的器件,用来作为电子的开关。


后来到了1947年,出现了点接触型的锗晶体管,成为了电子器件的里程碑。但是这种电子元器件也有一种弊端,就是存在接触点连接上不稳定的致命弱点。随着点接触型晶体管开发成功后,有一种晶体管理论,叫做结型晶体管理论也已经形成。但是结型晶体管理论却仅仅只是形成,人们制造出超高纯度的晶体管,并且能够任意控制晶体的导电类型后,这种结型晶体管才被制造出来。三年后,锗合金型晶体管被制造出来。


又过了四年,人们又制造出来了结型硅晶体。后来科学家们提出了场效应晶体管的猜想,后来在人们的努力下这个猜想正被一步一步证实。随着科学技术的一步步发展,比如腐蚀和光刻技术、扩散掺杂技术等等的出现和发展,如今各种各样的性能好、价格低的电子元器件层出不穷的出现,逐步进入了高科技时代。比如手机芯片,电脑上的cpu、主板等,都是电子元器件。


如今美国成为世界强国的原因之一也是因为掌握着国外电子元器件的核心科技,这也是为什么面对美国的制裁但却无计可施的原因,国内生产的电子元器件大多都是中下档次,没有高等级的电子元器件。在未来,电子元器件的发展决定了社会的发展水平也代表了一国的综合实力,同时在未来处于主导地位。


从1906年到现在,一些发展快的地区对一些高技术含量的国外电子元器件已经能够非常熟练地生产了,我国想要超过外国还需要很长的一段时间才能超越,以上这些这就是电子元器件的发展路程。

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