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SI7288DP-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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Vishay Intertechnology

厂牌: Vishay Intertechnology

供应商: 云汉在库

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描述:Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 20 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 -  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 4.9mm*5.89mm*1.07mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
FET类型 2个N沟道  
Vgs-栅源极电压 20V  
栅极电荷 15nC@ 10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 565pF@20V  
配置  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V@ 250µA  
最大功率耗散 3.6W  
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@ 10A,10V  
Vds-漏源极击穿电压 40V  
Id-连续漏极电流 20A  
通道数量 2  
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STL20DN10F7
厂牌: STMicroelectronics
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