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CSD17575Q3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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TEXAS INSTRUMENTS

厂牌: TEXAS INSTRUMENTS

供应商: 云汉在库

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描述:Texas Instruments N沟道增强型MOS管 NexFET系列, Vds=30 V, 3 A, vsonp封装, 表面贴装, 8引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 VSON-CLIP-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.42nF@15V  
栅极电荷 30nC@ 4.5 V  
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3mΩ@ 25A,10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V@ 250µA  
Id-连续漏极电流 60A  
最大功率耗散 2.8W(Ta),108W(Tc)  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
FET类型 1个N沟道  
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厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
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