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SIRA60DP-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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VISHAY INTERTECHNOLOGY

厂牌: VISHAY INTERTECHNOLOGY

供应商: 云汉在库

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描述:57W(Tc) 20V,16V 2.2V@ 250µA 60nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 940μΩ@ 20A,10V 100A 7.65nF@15V DFN-8,PAKSO-8 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 DFN-8,PAKSO-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
通道数量 -  
Id-连续漏极电流 100A  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA  
Vgs-栅源极电压 20V,16V  
Rds(On)-漏源导通电阻 940μΩ@ 20A,10V  
FET类型 1个N沟道  
栅极电荷 60nC@ 4.5 V  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
最大功率耗散 57W(Tc)  
配置 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.65nF@15V  
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