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STW9NK90Z-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh, SuperMESH系列, Vds=900 V, 8 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-247-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 24.45mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
通道数量 1  
栅极电荷 72nC@ 10 V  
Id-连续漏极电流 8A  
Vds-漏源极击穿电压 900V  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 3.6A,10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 100µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.115nF@25V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs-栅源极电压 30V  
最大功率耗散 160W(Tc)  
配置 独立式  
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