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MC33153DR2G--云汉芯城ICKey.cn

MC33153DR2G 秒杀商品
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ON SEMICONDUCTOR

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供应商: 云汉在库

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描述:17ns 1 11V 300ns(Typ) 20V 1.2V,3.2V Inverting IGBT,MOSFET,N沟道 17ns 低压侧 1A,2A SOIC-8 贴片安装,黏合安装 1.75mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 电源管理>栅极电源驱动器  
通用封装 SOIC-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装,黏合安装  
工作温度 -40℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.75mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
驱动数量 1  
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1A,2A  
通道类型 -  
上升时间 17ns  
输入类型 Inverting  
最大传播延迟时间 300ns(Typ)  
驱动配置 低压侧  
最小工作供电电压 11V  
下降时间 17ns  
最大高压侧电压-自举 -  
最大工作供电电压 20V  
栅极类型 IGBT,MOSFET,N沟道  
逻辑电压-VIL,VIH 1.2V,3.2V  
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