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IRF200S234-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

IRF200S234 秒杀商品
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INFINEON TECHNOLOGIES

厂牌: INFINEON TECHNOLOGIES

供应商: 云汉在库

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描述:417W(Tc) 20V 5V@ 250µA 162nC@ 10 V 1个N沟道 200V 16.9mΩ@ 51A,10V 90A 6.484nF@50V D2PAK 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 D2PAK  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vds-漏源极击穿电压 200V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
配置 独立式  
通道数量 1  
最大功率耗散 417W(Tc)  
Vgs-栅源极电压 20V  
Id-连续漏极电流 90A  
FET类型 1个N沟道  
Rds(On)-漏源导通电阻 16.9mΩ@ 51A,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.484nF@50V  
栅极电荷 162nC@ 10 V  
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