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GS66502B-MR-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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GaN Systems Inc

厂牌: GaN Systems Inc

供应商型号: GS66502B-MR

供应商: Arrow

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描述:7V 1.5nC@ 6V 650V 260mΩ@ 6V 65pF@ 400V
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>氮化镓场效应管  
通用封装 -  
RoHS 合规  
安装方式 -  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
通道数量 -  
Vgs-栅源极电压 7V  
Id-连续漏极电流 -  
击穿电压 -  
最大功率 -  
FET类型 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 6V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -  
Vds-漏源极击穿电压 650V  
最大功率耗散 -  
栅极电荷 1.5nC@ 6V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 65pF@ 400V  
配置 -  
Idss-饱和漏极电流 -  
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