首页 > 资料大全 > 解决方案 > IBM相变内存研究突破,每单位现在可存储三位元信息
IBM相变内存研究突破,每单位现在可存储三位元信息
来源:engadget 时间:2016-05-18

相变内存(Phase Change Memory,PCM)是诸多号称能「改变未来」的新内存技术之一,拥有接近 DRAM 的速度、远超过快闪内存的使用寿命,以及不供电也能保存资料的特性。在某些方面来说,它和忆阻体有点像,都是利用物质的电阻高低值来存储信息,只是真正的忆阻体是用电压来控制物质的电阻,而相变内存用的却是温度。相变内存使用的物质一般是一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide Glass),它们在加热冷却后,可以形成高电阻的晶体,或是低电阻的非晶体状态,或是两种状态间的任意比例组合。

过去 IBM 已经成功地实作出一个晶体单位存储一个位元(两种状态择一)的相变化内存样本,这次的突破主要是在于对晶体状态更细致的辨识能力,让每个晶体单位可以可靠地量测出八种不同的状态,记录三位元的信息。三位元是个重要的里程碑,因为如此一来它在成本上就明显对 DRAM 有优势,甚至逼近了快闪内存。只是像所有这类的研究一般,每次都只闻楼梯响,究竟要什么时候才能看到产品面世呢?

电子元器件资讯

更多 >

资料浏览排行榜

更多 >
商品名称 大小 浏览量
1 1N4001 0.19MB 367次
2 GRM033R60J105... 12.75MB 300次
3 1N4148 0.05MB 290次
4 BAT54S 0.27MB 251次
5 6N137 1.21MB 216次
6 6N137 0.47MB 212次
7 GCM188R71H224... 4.98MB 212次
8 6N137 0.24MB 207次
9 6N137 0.23MB 204次
10 GRM32RR71H105... 0.10MB 193次